- ASIC
- 电池管理 IC
- 时钟和时序解决方案
- ESD 和浪涌保护器件
- 评估板
- 高可靠性
- 隔离
- 存储器
- 微控制器
- 功率产品
- 射频
- 安全智能卡解决方案
- 传感器技术
- 小信号晶体管和二极管
- 收发器
- 通用串行总线(USB)
- 无线连接
- 英飞凌大中华区生态圈
- 搜索工具
- 技术
- 封装
- 购买渠道
- 概览
- 嵌入式闪存 IP 解决方案
- Flash+RAM MCP 解决方案
- F-RAM(铁电RAM)
- NOR 闪存
- nvsRAM(非易失性 SRAM)
- PSRAM — 伪静态RAM
- 经过抗辐射强化和高可靠性的存储器
- RRAM 电阻式存储器
- SRAM(静态RAM)
- 晶圆和裸片存储器解决方案
- 概览
- AC-DC电源转换
- 电动汽车动力系统
- D 类音频放大器 IC
- 非接触式电源和检测 IC
- DC-DC 转换器
- 二极管&晶闸管 (Si/SiC)
- 氮化镓(GaN)
- 栅极驱动器 IC
- IGBT 产品及驱动器件
- 智能功率模块(IPM)
- LED 驱动器集成电路
- 电机控制 IC 和驱动
- 功率MOSFET 和 MOS管
- 电源IC
- Infineon 智能功率开关
- 固态继电器
- 无线充电 IC
- 概览
- Calypso® 产品
- CIPURSE™ 产品
- 非接触式存储
- 了解 OPTIGA™ 嵌入式加密解决方案
- SECORA™ 安全解决方案
- 安全控制器
- 智能卡模块
- 政府身份证的智能解决方案
- 概览
- 3D ToF传感器
- MOTIX™ MCU (SoC) 基于 Arm® Cortex®-M0,集成半桥驱动器
- 气体传感器
- 电感式位置传感
- 磁传感器
- 微机电系统麦克风
- 压力传感器
- 雷达传感器
- 概览
- USB 2.0 外设控制器
- USB 3.2 外设控制器
- USB 集线器控制器
- USB PD 高压微控制器
- USB-C AC-DC 和 DC-DC 充电解决方案
- USB-C 充电端口控制器
- USB-C 供电控制器
- 概览
- AIROC™ 车载无线
- AIROC™ 蓝牙Bluetooth® 和多协议解决方案
- AIROC™ 互联微控制器
- AIROC™ Wi-Fi + Bluetooth® 组合
- 概览
- MOTIX™电机控制IC用于BLDC电机
-
MOTIX™ 电机控制IC,用于有刷直流电机
- 概览
- TRAVEO™ T2G CYT2B9系列
- FM3 CY9AFx1xL/M/N 系列 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9AFx2xK/L 系列 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9AFx3xK/L 系列超低漏电流 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9AFx4xL/M/N 系列低功耗 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9AFx5xM/N/R 系列低功耗 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9AFxAxL/M/N 系列超低漏电流 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9BFx1xN/R 高性能系列 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9BFx1xS/T 高性能系列 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9BFx2xJ 系列 Arm® Cortex-M3®微控制器 (MCU)
- FM3 CY9BFx2xK/L/M 系列 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM3 CY9BFx2xS/T 系列 Arm® Cortex-M3® 微控制器 (MCU)
- FM4 32 位 Arm® Cortex-M4® 微控制器 (MCU) 系列
- 概览
-
TriCore™ AURIX™ TC2xx安全模块
- 概览
- AURIX™系列 – TC21xL
- AURIX™ 系列 – TC21xSC (无线充电)
- AURIX™ 系列 – TC22xL
- AURIX™系列 – TC23xL
- AURIX™ 系列 – TC23xLA (ADAS)
- AURIX 系列 – TC23xLX™
- AURIX™ 系列 – TC264DA (ADAS)
- AURIX™系列 – TC26xD
- AURIX™ Family – TC27xT
- AURIX™ 系列 – TC297TA (ADAS)
- AURIX™ 系列 – TC29xT
- AURIX™ 系列 – TC29xTT (ADAS)
- AURIX™系列 – TC29xTX
- AURIX™ TC2xxED (仿真设备)
-
32 位TriCore™ AURIX™ – TC3xx
- 概览
- AURIX™系列 TC32xLP
- AURIX™ 系列 – TC33xDA
- AURIX™系列 - TC33xLP
- AURIX™ 系列 – TC35xTA(ADAS)
- AURIX™ 系列 – TC36xDP
- AURIX™系列 – TC37xTP
- AURIX™ 系列 – TC37xTX
- AURIX™ 系列——TC38xQP
- AURIX™ 系列——TC39xTM
- AURIX™ 系列 – TC39xXA(ADAS)
- AURIX™ 系列 – TC39xXM(ADAS)
- AURIX™ TC39xXX汽车MCU
- AURIX™ 系列 – TC3Ex
- AURIX™ TC37xTE (エミュレーションデバイス)
- AURIX™ TC39xXE(仿真设备)
- 32 位TriCore™ AURIX™ - TC4x
- 概览
- 32 位 PSOC™ 4 Arm® Cortex®-M0/M0+
- 32 位 PSOC™ 4 HV Arm® Cortex-M0®+
- 32 位 PSOC™ 5 LP Arm® Cortex®-M3
- 32 位 PSOC™ 6 Arm® Cortex-M4®/M0+
- 32 位 PSOC™ 汽车多点触控 Arm® Cortex-M0®
- 32 位 PSOC ™控制臂® Cortex ® -M33 MCU
- 32 位 PSOC™ 指纹 Arm® Cortex-M0®+
- 汽车 PSOC™ 4:32 位 Arm® Cortex-M0®/M0+ 微控制器
- PSOC ™ Edge Arm ® Cortex ®多核
- 概览
- 32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex®用于车身电子应用
- 用于仪表盘的 32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex®
- 概览
- 桥式整流器和交流开关
- CoolSiC™ 肖特基二极管
- 二极管裸片
- 硅二极管
- 晶闸管/二极管模块
- 晶闸管软启动器模块
- 晶闸管/二极管盘
- 概览
- 32-bit PSOC™ Control Arm® Cortex®-M33 MCU
- iMOTION™集成电机控制解决方案
- Embedded Power ICs (System-on-Chip) -146
- MOTIX™电机控制IC用于BLDC电机
- MOTIX™ 电机控制IC,用于有刷直流电机
- MOTIX™ 多半桥IC用于伺服和步进电机
- 概览
- 汽车级MOSFET
- 双 MOSFET
- MOSFET(Si 和 SiC)模块
- N 沟道耗尽型 MOSFET
- N 沟道功率 MOSFET
- P 沟道功率 MOSFET
- 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET
- 小信号/小功率 MOSFET
- 概览
- OPTIGA™ Authenticate
- OPTIGA™ Authenticate NFC 解决方案
- OPTIGA™ Connect – 交钥匙式 eSIM 安全解决方案
- OPTIGA™ Trust
- OPTIGA™ 可信平台模块 (TPM)
- 概览
- EZ-PD™ ACG1F 单端口 USB-C 控制器
- EZ-PD™ CCG2 USB Type-C 端口控制器
- EZ-PD™ CCG3PA Automotive USB-C 和 Power Delivery 控制器
- EZ-PD™ CCG4 双端口 USB-C 和 PD
- EZ-PD™ CCG5 双端口和 CCG5C 单端口 USB-C PD 控制器
- EZ-PD™ CCG6 单端口 USB-C & PD 控制器
- EZ-PD ™ CCG6_CFP 和 EZ-PD ™ CCG8_CFP 双单端口 USB-C PD
- EZ-PD™ CCG6DF 双端口和 CCG6SF 单端口 USB-C PD 控制器
- EZ-PD™ CCG7D 汽车双口 USB-C PD + DC-DC 控制器
- EZ-PD™ CCG7S 汽车单口 USB-C PD 解决方案,配备DC-DC控制器
- EZ-PD™ CCG7SAF 车规级单端口 USB-C PD + DC-DC 控制器 + FETs
- EZ-PD™ CCG8 双/单口 USB-C PD
- EZ-PD™ CMG1 USB-C EMCA 控制器
- 支持 EPR 的 EZ-PD™ CMG2 USB-C EMCA 控制器
- 最新动态
- 航空航天和国防
- 智能汽车解决方案
- 消费类电子产品
- 医疗保健和生活方式
- 家用电器
- 工业
- 信息和通信技术
- 可再生能源
- 机器人
- 安全解决方案
- 智能家居和楼宇
- 解决方案
- 概览
- 适配器和充电器
- 适用于智能电视的完整系统解决方案
- 移动设备和智能手机解决方案
- 多旋翼飞机和无人机
- 电动工具
- 家庭娱乐应用的半导体解决方案
- 智能会议系统
- 概览
- 汽车雷达系统
- 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器
- 车内传感应用 (ICMS)
- 多用途相机
- 概览
- 汽车辅助系统
- 车载网关
- 汽车配电系统
- 车身控制模块 (BCM)
- 舒适便捷电子产品
- 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
- 区域控制器
- 概览
- 汽车车载主机
- 汽车 USB-C 电源和数据解决方案
- 汽车仪表盘
- 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
- 中央信息显示屏(CID)
- 高性能驾驶舱控制器
- 舱内无线充电
- 智能仪表盘(电动两轮车和三轮车)
- 概览
- 电信基础设施的 AC-DC 电源转换
- 适用于电信基础设施的 DC-DC 电源转换
- 有线和无线通信应用 FPGA
- Satellite communications
- 电力系统可靠性建模
- 用于电信基础设施的射频前端组件
- 最新动态
- 概览
- AIROC™ 软件&工具
- AURIX™应用软件
- Drive Core 用于汽车软件开发
- iMOTION™ 工具和软件
- Infineon智能功率开关和栅极驱动器工具套件
- MOTIX 软件&工具
- OPTIGA™工具和软件
- PSOC™ 软件&工具
- TRAVEO™ 软件&工具
- XENSIV™ 工具和软件
- XMC™ 工具和软件
- 概览
- AURIX™开发工作室
- EZ-PD™ CCGx Dock 软件开发工具包
- FMx Softune IDE
- ModusToolbox™ 软件
- PSOC™ Creator软件
- 雷达开发套件
- 锈
- USB 集线器控制器
- 无线连接蓝牙网状网络辅助应用程序
- XMC™ DAVE™ Software
- 最新动态
- 支持
- 培训
- 英飞凌开发者社区
- 最新消息
商业财经出版社
14/03/2025
商业财经出版社
11/03/2025
商业财经出版社
10/03/2025
商业财经出版社
04/03/2025
- 公司名称
- 我们的故事
- 活动资讯
- 新闻
- 投资者
- 职业生涯
- 质量
- 最新消息
商业财经出版社
14/03/2025
商业财经出版社
11/03/2025
商业财经出版社
10/03/2025
商业财经出版社
04/03/2025



波老师那个年代上大学都是自己攒机装电脑,买CPU先问主频多少Hz?后来买手机也是,先看几个核,再看主频。。。所以估计大家都也差不多,都烙下病根儿了。
可是IGBT是个功率器件,它的开关频率上限并不是一个确定的值。
我一般都是这么回答这个问题的:
首先,开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下,IGBT每次开关都会产生一定的损耗,开通损耗是Eon,关断损耗是Eoff,还有二极管反向恢复也有损耗Erec。



IGBT的开关频率越高,开关次数就越多,损耗功率就也高,那乘以散热器的热阻后,IGBT的温升也越高,如果温度高到超出了IGBT的上限,那IGBT就失效了。具体你们可以看我之前发的关于IGBT热设计的文章。
但是损耗是和电压电流成正比的,如下图所示。



所以假如用一个很大标称电流的IGBT工作在一个小的电流下,那这个大IGBT的开关损耗功率和导通损耗功率就都会减小,那么这个大IGBT就更有可能用在更高的开关频率。
很多新手有个误区,他们原话是这么说的,“小管子发热小,大管子发热大,你看那大IGBT模块发热功率都上千瓦,那分离IGBT芯片才几瓦。。。”
其实他刚好说反了,在同一个电压等级下同样技术的芯片,标称电流越大的说明导通电阻越小,因此才能通更大的电流啊。
总而言之,IGBT的开关频率最高到多少,取决于在此工况下IGBT的结温会不会超上限。只要你有钱,巴菲特都能陪你吃饭,所以只要不惜成本3300V也能工作在50kHz硬开关。。。你不信?有图有真相。



顺便介绍个IPOSIM的新功能,点击阅读原文可以直接跳转到IPOSIM刚才截图那个工况的仿真结果。
所以说别再问我IGBT最高的最高开关频率了,只要你有钱,随便超频。
虽然有钱可以为所欲为,但是违反物理极限的事情还是有钱也做不到的。那什么是物理极限呢?那就是IGBT的开关速度。
刚才说了开关频率是IGBT在一秒内开关的次数,而且IGBT每个开关周期里还有占空比,比如说1kHz开关频率,50%占空比,那控制型号发出的方波从开通到关断的时间就是0.5毫秒。如下图。



但是你以为你发了0.5毫秒的方波,IGBT就能同步开0.5毫秒?不能,IGBT很迟缓,一般同等技术水平下的IGBT芯片,标称电压越高的IGBT越迟缓。
这个迟缓时间就是开关延迟,定义方法如下图。



一般都是关断延迟比开通延迟长,所以一个半桥上下桥臂的IGBT在开关状态切换时,需要一个死区时间,就是上下两个IGBT同时处于关断状态。否则就会出现上下桥臂直通短路的情况。
死区时间主要取决于关断延迟比开通延迟长了多少(当然还要有冗余)。



一般常见的3300V IGBT的死区时间都在10us以上。
以上文中的例子,50kHz对应一个周期是20us,假设是半桥DCDC,占空比50%,那一次开通时间只有10us,再减去10us死区时间,这个IGBT就不用开通了,只能永远保持关断状态。
因此这就是IGBT的物理极限,关断延迟和死区时间导致的频率极限。但是这个极限比实际应用的开关频率高出很多,因此平时并没有意义去讨论这个问题,除非你真的要用3300V的IGBT工作在50kHz。(在大部分实际应用中3300V的IGBT开关频率都是1kHz左右,超过2kHz就非常少见了。)
最后我们在举一个实际中会碰到的有参考价值的例子。
例如高速电机的应用,假设电机额定转速在10万转以上,一对极,折算成电机驱动频率约为2000Hz,逆变器直流母线电压600V,额定扭矩对应的线电流有效值约为30A,水冷散热器。
在高速电机应用中,大部分是无刷直流的控制方法,但有写特殊场合为了保证控制精度和扭矩稳定性,需要采用SVPWM的控制方法,这时就需要逆变器有很高的开关频率了,而且开关频率越高,纹波越小,电机的扭矩就约平稳,我们假设开关频率要不低于30kHz。
现在我们开始选型,根据逆变器的体积和成本考虑,我们先初选FS75R12KT4和FS100R12KT4,标称电流分别为75A和100A的两款三相全桥IGBT模块。
这个封装的IGBT模块,水冷散热器的典型热阻为0.072K/W,进口水温60°C。在散热条件确定后,我们就可以开始仿真计算了。
我们把结温上限设为145度,留5度的安全余量。
可以得到一个结温在145度下,输出电流和开关频率的关系,如下图所示。



黑色是100A的模块,红色是75A模块,在30~40kHz的频率区间,100A的模块能比75A的模块多输出约10A的电流有效值。在30A输出电流下,100A模块的开关频率可以比75A模块高15kHz以上。当然你可以选个更大的FS150R12KT4,工作到100kHz,不过这时候你就要考虑下1200V一般3us的死区时间可能会吃掉一半的PWM波,所以这时候频率又被开关速度给限制了。
所以回到我们的主题,IGBT的频率可以有多高?虽然极限取决于死区时间,但是实际中主要还是取决于散热和电流,不提散热和电流张开就问开关频率,这是许多小白司机常犯的错误。
希望这篇文章能帮助到你。