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概述

宽带隙半导体允许更高的电场强度，因此与硅替代品相比，高压开关的体积要小得多。因此，基于 GaN 的功率器件可以在不影响效率的情况下以高频工作。英飞凌 CoolGaN™ 栅极注入晶体管 （GIT） 技术基于带有 p-GaN 栅极的混合漏极 HEMT，可实现可靠的电源开关正常关断。

主要特性
  • 快速开启和关闭转换速率
  • 传播延迟短
  • 扩展了 CMTI 的稳健性
  • 欠压监视选项
  • 击穿保护选项
  • 死区时间控制 (DTC) 选项
  • 输出快速钳位
  • 低阻抗输出
应用
电信基础设施的 AC-DC 电源转换
适用于智能电视的完整系统解决方案
储能系统
马达控制
服务器电源单元 (PSU)
微型逆变器解决方案

产品

关于

用于高压 GaN 开关的单通道隔离栅极驱动器 IC

为了应对英飞凌 CoolGaN™ 栅极注入晶体管概念的独特性，在 EiceDRIVER™ 1EDx56x3 系列产品的定制栅极驱动器 IC 中采用了创新的差分栅极驱动概念。CoolGaN™ e 模式 HEMT 最适合由英飞凌的 EiceDRIVER™ IC 驱动，即 1EDF5673K、1EDF5673F、和 1EDS5663H。它们可以确保高压氮化镓的稳健并高效地开关运行，同时最大限度地减少研发工作、并缩短上市时间。

针对 CoolGaN™ GIT HEMT 优化过的双通道栅极驱动器 IC 产品组合

EiceDRIVER™ 2EDxx259 系列产品的双通道驱动器具有死区时间控制（DTC）和击穿保护（STP），可确保在使用单颗 IC 的半桥拓扑时能够安全运行。半桥拓扑的混合栅极驱动配置由 EiceDRIVER™ 1EDBx275F 和 1EDNx550B 的两个单通道栅极驱动器 IC 组成，可以优化 PCB 上的驱动器 IC 位置，最大限度地减少栅极回路寄生电感。这可以节省 PCB 面积（与双通道栅极驱动器IC相比），而且物料清单（BOM）也极具竞争力。

基于氮化镓技术的最高效率和功率密度

650 V GaN HEMT 的栅极驱动器 IC 具有许多优点，包括具有极快瞬变和低开关损耗的安全关断状态。此外，还提供短死区时间和出色的开关噪声抗扰性。其它功能包括基于硬件的保护，即使在第一个脉冲或突发模式操作之后也能保持在安全的工作范围内，并避免误发启动。它们还能在高开关频率下可靠运行。

用于高压 GaN 开关的单通道隔离栅极驱动器 IC

为了应对英飞凌 CoolGaN™ 栅极注入晶体管概念的独特性，在 EiceDRIVER™ 1EDx56x3 系列产品的定制栅极驱动器 IC 中采用了创新的差分栅极驱动概念。CoolGaN™ e 模式 HEMT 最适合由英飞凌的 EiceDRIVER™ IC 驱动，即 1EDF5673K、1EDF5673F、和 1EDS5663H。它们可以确保高压氮化镓的稳健并高效地开关运行，同时最大限度地减少研发工作、并缩短上市时间。

针对 CoolGaN™ GIT HEMT 优化过的双通道栅极驱动器 IC 产品组合

EiceDRIVER™ 2EDxx259 系列产品的双通道驱动器具有死区时间控制（DTC）和击穿保护（STP），可确保在使用单颗 IC 的半桥拓扑时能够安全运行。半桥拓扑的混合栅极驱动配置由 EiceDRIVER™ 1EDBx275F 和 1EDNx550B 的两个单通道栅极驱动器 IC 组成，可以优化 PCB 上的驱动器 IC 位置，最大限度地减少栅极回路寄生电感。这可以节省 PCB 面积（与双通道栅极驱动器IC相比），而且物料清单（BOM）也极具竞争力。

基于氮化镓技术的最高效率和功率密度

650 V GaN HEMT 的栅极驱动器 IC 具有许多优点，包括具有极快瞬变和低开关损耗的安全关断状态。此外，还提供短死区时间和出色的开关噪声抗扰性。其它功能包括基于硬件的保护，即使在第一个脉冲或突发模式操作之后也能保持在安全的工作范围内，并避免误发启动。它们还能在高开关频率下可靠运行。

文档

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