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概述

使用肖特基势垒二极管作为反并联二极管，与IGBT搭配使用，可以扩展IGBT的能力，并显著降低Eon和总开关损耗。在 dV/dt 和 di/dt 值几乎不变的情况下，续流SiC肖特基势垒二极管可显著降低开关损耗。

主要特性
  • TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术
  • 反并联 SiC 肖特基二极管
  • 4 脚开尔文发射极封装
  • 抑制电压过冲
应用
功率转换
不间断电源 (UPS)
光伏

产品

关于

关于 CoolSiC™ 混合单管

我们的 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 可以快速简便、即插即用地作为替换使用，设计中每 10 kHz 开关频率可立即将效率提高 0.1%，这意味着对于开关频率为 23 kHz 的应用，效率将提高 ~0.23%。使用4脚开尔文发射极封装的 CoolSiC™ 混合单管可以进一步降低开关损耗，从而实现更大幅度的效率提升。

主要特点和优势

650 V CoolSiC™ 混合单管结合了同类最佳 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 技术的关键特性和反并联的肖特基势垒 CoolSiC™ 二极管的单极结构，例如一流的超快速或快速开关 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 技术。它们反并联SiC肖特基势垒二极管，并采用 4 脚开尔文发射极封装。其他优点是，650 V CoolSiC™ 混合单管是同类最佳的 IGBT，具有最小的开关和导通损耗。它们的性能可与SiC MOSFET媲美，价格也具有竞争力，并且由于具有感应引脚和电压过冲减少（由硅二极管的dirr/dt导致），因此具有超短的IGBT响应时间。

主要优势

650 V CoolSiC™ 混合单管具有重要的关键优势，例如，高效率可减少散热设计或提高功率密度、更高的开关频率、双向电流，以及使用 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 轻松替换其他设计（使用该IGBT 每 10 kHz 工作频率可提高 0.1%的效率）。

TO-247 4pin 封装，带开尔文发射器

带开尔文发射极的 TO-247 4 脚封装可实现更快的换向，从而改善 IGBT 的开关性能。与标准 TO-247 封装相比，动态损耗降低了 20%，从而提高了整体系统效率并使 IGBT 能够在较低的温度下运行。

IGBT 的开关速度越快，TO-247 4pin 带来的好处就越大。

TO-247 4pin

关于 CoolSiC™ 混合单管

我们的 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 可以快速简便、即插即用地作为替换使用，设计中每 10 kHz 开关频率可立即将效率提高 0.1%，这意味着对于开关频率为 23 kHz 的应用，效率将提高 ~0.23%。使用4脚开尔文发射极封装的 CoolSiC™ 混合单管可以进一步降低开关损耗，从而实现更大幅度的效率提升。

主要特点和优势

650 V CoolSiC™ 混合单管结合了同类最佳 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 技术的关键特性和反并联的肖特基势垒 CoolSiC™ 二极管的单极结构，例如一流的超快速或快速开关 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 技术。它们反并联SiC肖特基势垒二极管，并采用 4 脚开尔文发射极封装。其他优点是，650 V CoolSiC™ 混合单管是同类最佳的 IGBT，具有最小的开关和导通损耗。它们的性能可与SiC MOSFET媲美，价格也具有竞争力，并且由于具有感应引脚和电压过冲减少（由硅二极管的dirr/dt导致），因此具有超短的IGBT响应时间。

主要优势

650 V CoolSiC™ 混合单管具有重要的关键优势，例如，高效率可减少散热设计或提高功率密度、更高的开关频率、双向电流，以及使用 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 轻松替换其他设计（使用该IGBT 每 10 kHz 工作频率可提高 0.1%的效率）。

TO-247 4pin 封装，带开尔文发射器

带开尔文发射极的 TO-247 4 脚封装可实现更快的换向，从而改善 IGBT 的开关性能。与标准 TO-247 封装相比，动态损耗降低了 20%，从而提高了整体系统效率并使 IGBT 能够在较低的温度下运行。

IGBT 的开关速度越快，TO-247 4pin 带来的好处就越大。

TO-247 4pin

文档

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