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概述

我们的TRENCHSTOP™ IGBT 结合了顶部单元沟槽技术（trench top-cell）和场截止（field stop）技术，从而显著提高了器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管 (ECD) 的组合进一步降低了导通损耗。平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

产品

关于

600 V 和 1200 V  TRENCHSTOP™ 的特性

600 V 和 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 集成了重要的关键特性，例如最低的 Vce(sat) 压降以降低导通损耗、低开关损耗、由于 Vce(sat) 的正温度系数而方便并联工作、非常柔和、快速恢复的反并联发射极控制二极管、高耐用性、温度稳定性、低 EMI 辐射、低栅极电荷和非常紧密的参数分布。

600 V 和 1200 V  TRENCHSTOP™ 的优势

600 V 和 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 的主要优点包括：导通和开关损耗低，效率最高；600 V 和 1200 V 产品组合齐全，设计灵活；器件可靠性高。

关于 600 V  TRENCHSTOP™  Performance IGBT 的详细信息

600 V TRENCHSTOP™ Performance系列 IGBT，将导通和关断能量之间的最佳权衡与出色的鲁棒性和 EMI 性能相结合。在电机控制、空调压缩机、HVAC 电机驱动器、UPS、太阳能转换器以及硬开关拓扑中频率高达 30 kHz 的所有电源转换应用中，它都能实现更高的效率。600 V TRENCHSTOP™ Performance 是一款具有 5 μs 的短路能力的中速 IGBT，具有更低的开关损耗、更低的二极管恢复损耗、低速 dV/dt 开关 （<5 V/ns）、易于设计、5 μs 短路额定值、低 EMI 和具有价格竞争力等优点。

600 V  TRENCHSTOP™  Performance IGBT 的优势

TRENCHSTOP™ Performance 具有更低的总开关损耗（Ets），即效率更高的 IGBT，开关速度为8 kHz时Ets降低7%，开关速度为15 kHz时Ets降低11%，低速dV/dt开关（<5 V/ns）和改进的单元设计，可靠性更高。

600 V 和 1200 V  TRENCHSTOP™ 的特性

600 V 和 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 集成了重要的关键特性，例如最低的 Vce(sat) 压降以降低导通损耗、低开关损耗、由于 Vce(sat) 的正温度系数而方便并联工作、非常柔和、快速恢复的反并联发射极控制二极管、高耐用性、温度稳定性、低 EMI 辐射、低栅极电荷和非常紧密的参数分布。

600 V 和 1200 V  TRENCHSTOP™ 的优势

600 V 和 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 的主要优点包括：导通和开关损耗低，效率最高；600 V 和 1200 V 产品组合齐全，设计灵活；器件可靠性高。

关于 600 V  TRENCHSTOP™  Performance IGBT 的详细信息

600 V TRENCHSTOP™ Performance系列 IGBT，将导通和关断能量之间的最佳权衡与出色的鲁棒性和 EMI 性能相结合。在电机控制、空调压缩机、HVAC 电机驱动器、UPS、太阳能转换器以及硬开关拓扑中频率高达 30 kHz 的所有电源转换应用中，它都能实现更高的效率。600 V TRENCHSTOP™ Performance 是一款具有 5 μs 的短路能力的中速 IGBT，具有更低的开关损耗、更低的二极管恢复损耗、低速 dV/dt 开关 （<5 V/ns）、易于设计、5 μs 短路额定值、低 EMI 和具有价格竞争力等优点。

600 V  TRENCHSTOP™  Performance IGBT 的优势

TRENCHSTOP™ Performance 具有更低的总开关损耗（Ets），即效率更高的 IGBT，开关速度为8 kHz时Ets降低7%，开关速度为15 kHz时Ets降低11%，低速dV/dt开关（<5 V/ns）和改进的单元设计，可靠性更高。

文档

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