这是机器翻译的内容,点击这里了解更多

关于

TRENCHSTOP ™ Advanced Isolation 代表了隔离封装领域的尖端技术。与高级 Iso-foil 相比,先进隔离材料的热阻 Rth(jh) 降低了 35%,从而实现了从芯片到散热器的有效且可靠的热路径。

广泛的 600 V/1200 V TRENCHSTOP ™ IGBT7 S7 产品组合是所有需要短路保护能力/坚固性的工业应用的最佳选择。IGBT7 具有出色的可控性和短路耐受性,凭借其卓越的电气性能、更高的可控性、简便的 EMI 设计以及在恶劣条件下(HV-H3TRB 和宇宙射线耐受性)应用中的更高可靠性,成为 SC 器件中的标杆。

采用 TO-247 4 针开尔文发射极封装的 50 A 和 75 A S5 650 V TRENCHSTOP ™ 5 IGBT,在 10 kHz 至 40 kHz 的中速切换下可实现最高效率。

TO-247PLUS 封装具有更大的有效芯片面积,可在 TO-247 尺寸内容纳高达 75 A 的 IGBT 和 75 A 的二极管。TO-247PLUS的更高功率密度可用于减少并联、增加系统功率密度或系统功率输出。

第 4 个引脚称为开尔文发射极端子,它绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高了 IGBT 的开关速度并降低了开关能量。

TRENCHSTOP ™ Advanced Isolation 代表了隔离封装领域的尖端技术。与高级 Iso-foil 相比,先进隔离材料的热阻 Rth(jh) 降低了 35%,从而实现了从芯片到散热器的有效且可靠的热路径。

广泛的 600 V/1200 V TRENCHSTOP ™ IGBT7 S7 产品组合是所有需要短路保护能力/坚固性的工业应用的最佳选择。IGBT7 具有出色的可控性和短路耐受性,凭借其卓越的电气性能、更高的可控性、简便的 EMI 设计以及在恶劣条件下(HV-H3TRB 和宇宙射线耐受性)应用中的更高可靠性,成为 SC 器件中的标杆。

采用 TO-247 4 针开尔文发射极封装的 50 A 和 75 A S5 650 V TRENCHSTOP ™ 5 IGBT,在 10 kHz 至 40 kHz 的中速切换下可实现最高效率。

TO-247PLUS 封装具有更大的有效芯片面积,可在 TO-247 尺寸内容纳高达 75 A 的 IGBT 和 75 A 的二极管。TO-247PLUS的更高功率密度可用于减少并联、增加系统功率密度或系统功率输出。

第 4 个引脚称为开尔文发射极端子,它绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高了 IGBT 的开关速度并降低了开关能量。

文件