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概述

RC-H 器件的开关和导通损耗极低，热性能更佳，功耗更低。即使在高温环境下，它们也能保证谐振开关应用的最佳可靠性。它们针对软开关应用进行了优化，具有出色的 EMI 特性，因而降低了对滤波器的要求，最终降低了系统成本。

产品

关于

逆导型 (RC-H) IGBT 的介绍

RC-H IGBT 集成了单片二极管，是电磁炉、变频微波炉和电饭煲等软开关应用的完美选择。 

我们将TRENCHSTOP™ 系列的行业领先性能与创新的RC-H IGBT技术相结合，创造出新一代的一流器件。

RC-H IGBT与驱动IGBT的低边和半桥芯片 EiceDRIVER™ 系列完美匹配。

关于栅极驱动 IC 的更多信息
关于 650 V 逆导型 R6 系列

R6 IGBT 系列采用单片二极管，可在功率损耗和 EMI 性能之间实现完美平衡，适用于频率高达 75 kHz 的所有半桥谐振开关应用。

650 V R6 产品系列分为 30 A、40 A 和 50 A 三个电流等级，具有最低的 VCEsat 以实现最佳效率，同时降低关断损耗，全面提高了二极管的性能。由于改进了二极管，VF 得以降低，而且几乎完全消除了对栅极电压的依赖。650 V R6 器件与现有的栅极驱动器解决方案具有很好的兼容性。

与上一代 650 V R5 相比，该系列产品具有重要的关键特性，如 IGBT VCEsat 降低了 5%，二极管正向电压降低了 12%，二极管正向电压与 VGE 无关。Tj(max) 为 175°C，产品采用软电流关断波形，以降低 EMI。

其主要优点包括：在频率高达 75kHz 的半桥谐振转换器中实现了最低的器件功耗；为半桥 IH 应用提供了即插即用的解决方案；以及更好的热管理以实现更高的可靠性。

关于 650 V、1100 V、1200 V、1350 V、1600 V 逆导型 R5 系列

R5 系列提供 20 A、30 A 和 40 A 三个电流等级，阻断电压分别为 650 V、1200 V 和 1350 V。

1600 V R5 是最新一代的反向导电 IGBT，针对高端电磁炉烹饪应用的更高可靠性要求进行了开发和优化，具有同类优异的效率、低开关和传导损耗，适用于软开关应用。1600 V R5 电流等级为 30 A。

凭借其宽电流和电压等级，逆导型 R5 系列为基于谐振开关拓扑结构的家用电器（如电磁炉和逆变式微波炉）提供了最全面的 IGBT 产品。此外，1100 V R5 的电流等级为 30 A。

这些产品具有重要的关键特性，例如，Tj（最大）为 175°C，V(BR)CES 高且稳定，与上一代 R3 相比，开关损耗降低了 30%。

此外，其主要优势包括：提升了最高开关工作频率、功耗最低、热管理更好、可靠性最高以及系统成本更低。

关于 1200 V 逆导型 E1 系列

逆导型 E1 系列包括 15 A 和 25 A 两个电流等级，阻断电压为 1200 V。逆导型 E1技术经过优化，在现有的 RC-H 系列产品中保证了最佳的成本地位。它具有良好的散热性能和较低的 EMI 滤波要求，从而降低了整体系统成本和设计难度。

该系列产品具有一些重要的关键特性，例如：Tj(max)为 150°C；软电流关断波形可降低 EMI；经过优化，成本最低；与上一代 R3 相比，传导损耗降低了 10%。

关键应用

650 V/ 1100 V/ 1200 V/ 1350 V/ 1600 V RC-H 逆导型 IGBT 适合多种应用，例如电磁炉、变频微波炉、电磁电饭煲和电磁单灶。

关于1400 V 逆导型 R5L 系列

1400 V 逆导型 R5L 采用单片集成反向导电二极管，TO-247 3pin 封装，专为满足电磁炉烹饪应用的特殊要求而设计，体现了英飞凌技术的新水平，改进了垂直设计和边缘端接，与现有的反向导电 R5 系列相比，实现了更窄的损耗分布。

逆导型 R5L 系列提供 20 A、25 A、30 A 和 40 A 四种电流等级，击穿电压提高到 1400 V，在感应加热设备中的传导和开关损耗更低，可靠性更高，热性能更优，设计更灵活。

与 1350 V 的逆导型 R5 相比，该产品具有重要的关键特性，如 Vf 提高了 8%，损耗分布非常均匀，温度稳定，击穿电压提高了 1400 V，并扩展了 25 A 的新电流等级。

其主要优点包括：功率损耗最小、冷却工作量更少从而提高了能效、电阻炊具更少从而降低了应力、使用寿命更长以及集电极峰值电流能力更高。

逆导型 (RC-H) IGBT 的介绍

RC-H IGBT 集成了单片二极管，是电磁炉、变频微波炉和电饭煲等软开关应用的完美选择。 

我们将TRENCHSTOP™ 系列的行业领先性能与创新的RC-H IGBT技术相结合，创造出新一代的一流器件。

RC-H IGBT与驱动IGBT的低边和半桥芯片 EiceDRIVER™ 系列完美匹配。

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关于 650 V 逆导型 R6 系列

R6 IGBT 系列采用单片二极管，可在功率损耗和 EMI 性能之间实现完美平衡，适用于频率高达 75 kHz 的所有半桥谐振开关应用。

650 V R6 产品系列分为 30 A、40 A 和 50 A 三个电流等级，具有最低的 VCEsat 以实现最佳效率，同时降低关断损耗，全面提高了二极管的性能。由于改进了二极管，VF 得以降低，而且几乎完全消除了对栅极电压的依赖。650 V R6 器件与现有的栅极驱动器解决方案具有很好的兼容性。

与上一代 650 V R5 相比，该系列产品具有重要的关键特性，如 IGBT VCEsat 降低了 5%，二极管正向电压降低了 12%，二极管正向电压与 VGE 无关。Tj(max) 为 175°C，产品采用软电流关断波形，以降低 EMI。

其主要优点包括：在频率高达 75kHz 的半桥谐振转换器中实现了最低的器件功耗；为半桥 IH 应用提供了即插即用的解决方案；以及更好的热管理以实现更高的可靠性。

关于 650 V、1100 V、1200 V、1350 V、1600 V 逆导型 R5 系列

R5 系列提供 20 A、30 A 和 40 A 三个电流等级，阻断电压分别为 650 V、1200 V 和 1350 V。

1600 V R5 是最新一代的反向导电 IGBT，针对高端电磁炉烹饪应用的更高可靠性要求进行了开发和优化，具有同类优异的效率、低开关和传导损耗，适用于软开关应用。1600 V R5 电流等级为 30 A。

凭借其宽电流和电压等级，逆导型 R5 系列为基于谐振开关拓扑结构的家用电器（如电磁炉和逆变式微波炉）提供了最全面的 IGBT 产品。此外，1100 V R5 的电流等级为 30 A。

这些产品具有重要的关键特性，例如，Tj（最大）为 175°C，V(BR)CES 高且稳定，与上一代 R3 相比，开关损耗降低了 30%。

此外，其主要优势包括：提升了最高开关工作频率、功耗最低、热管理更好、可靠性最高以及系统成本更低。

关于 1200 V 逆导型 E1 系列

逆导型 E1 系列包括 15 A 和 25 A 两个电流等级，阻断电压为 1200 V。逆导型 E1技术经过优化，在现有的 RC-H 系列产品中保证了最佳的成本地位。它具有良好的散热性能和较低的 EMI 滤波要求，从而降低了整体系统成本和设计难度。

该系列产品具有一些重要的关键特性，例如：Tj(max)为 150°C；软电流关断波形可降低 EMI；经过优化，成本最低；与上一代 R3 相比，传导损耗降低了 10%。

关键应用

650 V/ 1100 V/ 1200 V/ 1350 V/ 1600 V RC-H 逆导型 IGBT 适合多种应用，例如电磁炉、变频微波炉、电磁电饭煲和电磁单灶。

关于1400 V 逆导型 R5L 系列

1400 V 逆导型 R5L 采用单片集成反向导电二极管，TO-247 3pin 封装，专为满足电磁炉烹饪应用的特殊要求而设计，体现了英飞凌技术的新水平，改进了垂直设计和边缘端接，与现有的反向导电 R5 系列相比，实现了更窄的损耗分布。

逆导型 R5L 系列提供 20 A、25 A、30 A 和 40 A 四种电流等级，击穿电压提高到 1400 V，在感应加热设备中的传导和开关损耗更低，可靠性更高，热性能更优，设计更灵活。

与 1350 V 的逆导型 R5 相比，该产品具有重要的关键特性，如 Vf 提高了 8%，损耗分布非常均匀，温度稳定，击穿电压提高了 1400 V，并扩展了 25 A 的新电流等级。

其主要优点包括：功率损耗最小、冷却工作量更少从而提高了能效、电阻炊具更少从而降低了应力、使用寿命更长以及集电极峰值电流能力更高。

文档

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