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在使用单管 IGBT 为家用电器和工业应用设计电力电子系统方案时,如何找到合适的折衷方案一直是个难题。市场上的解决方案,如完全绝缘封装 (Full-Paks) 和带有绝缘箔或陶瓷的分立式 IGBT,经实践操作,较为昂贵、性能低且难以处理,不适合上一代高功率密度芯片的散热需求。

  • 设计灵活性
  • 高输出功率
  • 低冷却效率
  • 高可靠性
  • 电气绝缘

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关于

高级绝缘代表着英飞凌推陈出新,突破传统封装和绝缘技术所能达到的极限。由于从芯片到散热器之间有一条有效可靠的散热路径,这种新型隔离封装可实现最高的功率密度、最佳的性能和最低的冷却成本。

此项封装概念可满足性能、设计灵活性和易于处理的高要求。由于无需使用导热硅脂或导热接口板,Advanced Isolation 能够将热阻率降低至少 35%,系统成本降低至少 10%,从而帮助设计人员降低系统复杂性、开发时间和组装成本。

高级隔离技术代表了隔离封装领域的尖端技术,消除了迄今为止限制设计人员实现更强大、更紧凑和高度差异化系统能力的所有界限和约束。

完全绝缘封装提供 100% 绝缘的即插即用解决方案,Viso 为 3.0 kV 持续 1 秒。它具有同类最佳的 Rth(j-h),Rth(j-h) 比绝缘箔低 35%,Rth(j-h) 比完全绝缘封装低 50%,而且耦合电容低至 38 pF,比标准绝缘箔低 36%,比 MICA(类似于 Al2O3)低 25%,是您设计方案中的正确选择。

高级绝缘封装需要减小散热片尺寸,或提高功率密度,与具有绝缘材料的标准 TO-247 相比,Tc 最多可降低 10°C,Iout 最多可增加 20%,从而实现更高的输出功率。此外,EMI 滤波器尺寸的减小、可靠性的提高以及易于并联的可能性都降低了系统成本,并实现了完整的制造过程控制。

高级绝缘代表着英飞凌推陈出新,突破传统封装和绝缘技术所能达到的极限。由于从芯片到散热器之间有一条有效可靠的散热路径,这种新型隔离封装可实现最高的功率密度、最佳的性能和最低的冷却成本。

此项封装概念可满足性能、设计灵活性和易于处理的高要求。由于无需使用导热硅脂或导热接口板,Advanced Isolation 能够将热阻率降低至少 35%,系统成本降低至少 10%,从而帮助设计人员降低系统复杂性、开发时间和组装成本。

高级隔离技术代表了隔离封装领域的尖端技术,消除了迄今为止限制设计人员实现更强大、更紧凑和高度差异化系统能力的所有界限和约束。

完全绝缘封装提供 100% 绝缘的即插即用解决方案,Viso 为 3.0 kV 持续 1 秒。它具有同类最佳的 Rth(j-h),Rth(j-h) 比绝缘箔低 35%,Rth(j-h) 比完全绝缘封装低 50%,而且耦合电容低至 38 pF,比标准绝缘箔低 36%,比 MICA(类似于 Al2O3)低 25%,是您设计方案中的正确选择。

高级绝缘封装需要减小散热片尺寸,或提高功率密度,与具有绝缘材料的标准 TO-247 相比,Tc 最多可降低 10°C,Iout 最多可增加 20%,从而实现更高的输出功率。此外,EMI 滤波器尺寸的减小、可靠性的提高以及易于并联的可能性都降低了系统成本,并实现了完整的制造过程控制。

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