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概述

600 V/1200 V 高速 IGBT 系列突破了各种拓扑结构中的开关速度限制。

主要特性
  • 低开关损耗
  • 效率高
  • 短路能力
  • 最高结温 175°C
应用
线上 UPS
光伏

产品

关于

HighSpeed3 H3 IGBT 简介

极短的拖尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列产品的主要特性， 在设计中采用该系列产品，最高可提升15%的效率。该系列不仅具有非常低的开关损耗，而且导通损耗也很低。这要归功于举世闻名的TRENCHSTOP™技术，该技术可以实现极低的导通损耗 Vce(sat)。同时，也对duo packs的续流二极管进行了优化，可在实现快速恢复的同时保持高柔软度。英飞凌HighSpeed3 H3 IGBT系列是高频开关应用的理想选择，在开关损耗和能效方面表现卓越。这些优化让我们的产品具备了卓越的高速开关性能、坚固性和抗电磁干扰能力。与 HighSpeed3 H3 IGBT 搭配使用，您就拥有了市场上优秀的设备。

我们的 HighSpeed3 H3 IGBT 针对高频应用进行了优化，在开关损耗和能效方面表现卓越。

核心优势

其主要优点包括：性价比高、开关和传导损耗低、电磁干扰（EMI）性能极佳、栅极电阻小以减少延迟时间和电压过冲、芯片尺寸更小以实现更小的封装、IGBT 效率和抗电磁干扰能力在同类产品中名列前茅。

主要特性

600 V/1200 V HighSpeed3 H3 IGBT 集成了许多重要的关键特性，例如：开关损耗低，效率高；开关速度快，EMI 辐射低；采用著名的英飞凌 TRENCHSTOP™ 技术，具有出色的 Vce(sat)性能；针对目标应用优化了二极管，进一步降低了开关损耗、短路能力、可选择更低的栅极电阻（低至 5Ω），同时保持出色的开关性能； 它专为在频率低于 70 kHz 的开关应用中取代平面 MOSFET 而设计，采用带续流二极管或不带续流二极管的封装，提高了设计自由度，最高结温可达 175°C。

1200 V 分立式 IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6

HighSpeed3 IGBT技术是一种成熟的IGBT技术，已于几年前投放市场。为了满足客户对最佳效率和最低功率损耗的要求，英飞凌开发了新一代1200 V IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 6 是前代 1200 V HighSpeed3 IGBT 系列的简单即插即用替代品。

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HighSpeed3 H3 IGBT 简介

极短的拖尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列产品的主要特性， 在设计中采用该系列产品，最高可提升15%的效率。该系列不仅具有非常低的开关损耗，而且导通损耗也很低。这要归功于举世闻名的TRENCHSTOP™技术，该技术可以实现极低的导通损耗 Vce(sat)。同时，也对duo packs的续流二极管进行了优化，可在实现快速恢复的同时保持高柔软度。英飞凌HighSpeed3 H3 IGBT系列是高频开关应用的理想选择，在开关损耗和能效方面表现卓越。这些优化让我们的产品具备了卓越的高速开关性能、坚固性和抗电磁干扰能力。与 HighSpeed3 H3 IGBT 搭配使用，您就拥有了市场上优秀的设备。

我们的 HighSpeed3 H3 IGBT 针对高频应用进行了优化，在开关损耗和能效方面表现卓越。

核心优势

其主要优点包括：性价比高、开关和传导损耗低、电磁干扰（EMI）性能极佳、栅极电阻小以减少延迟时间和电压过冲、芯片尺寸更小以实现更小的封装、IGBT 效率和抗电磁干扰能力在同类产品中名列前茅。

主要特性

600 V/1200 V HighSpeed3 H3 IGBT 集成了许多重要的关键特性，例如：开关损耗低，效率高；开关速度快，EMI 辐射低；采用著名的英飞凌 TRENCHSTOP™ 技术，具有出色的 Vce(sat)性能；针对目标应用优化了二极管，进一步降低了开关损耗、短路能力、可选择更低的栅极电阻（低至 5Ω），同时保持出色的开关性能； 它专为在频率低于 70 kHz 的开关应用中取代平面 MOSFET 而设计，采用带续流二极管或不带续流二极管的封装，提高了设计自由度，最高结温可达 175°C。

1200 V 分立式 IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6

HighSpeed3 IGBT技术是一种成熟的IGBT技术，已于几年前投放市场。为了满足客户对最佳效率和最低功率损耗的要求，英飞凌开发了新一代1200 V IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 6 是前代 1200 V HighSpeed3 IGBT 系列的简单即插即用替代品。

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文档

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