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概述

灵活性、最佳电气性能和最高可靠性。这些都是逆变器设计成功的关键因素。我们享誉盛名的 62mm 模块是您设计的正确选择。我们提供 600 V/650 V/1200 V 以及 1700 V 半桥、斩波、共射极和单开关产品系列。

产品

关于

34 毫米和 62 毫米模块产品组合

62 mm 电源模块具有广泛的产品范围；客户可以选择不同的电压等级、额定功率以及不同的 IGBT 芯片技术。1200 V 62 mm 产品组合的最新成员是集成了 RDS(on) 额定值为 2、3 和 6 mΩ 的 CoolSiC™ MOSFET。庞大的 34 和 62 毫米产品组合为用户提供了高度的灵活性和可靠性，使设计人员受益匪浅。此外，该产品组合还支持为各种应用高效实现现代变频器概念。

为了加快开发周期，英飞凌提供了评估板，帮助进行首次模块测量。我们最新的驱动芯片被用于串行使用。评估板用户指南中提供了原理图、布局和部件清单。

34 毫米和 62 毫米模块的主要特性

34 毫米和 62 毫米模块具有重要的关键特性，例如，适用于变频控制逆变器驱动的优秀解决方案、UL/CSA 认证（UL 1557 E83336）、最高 150 °C 的工作温度、优化的开关特性、软性和更低的开关损耗。所有具有大电流功能的现有封装均符合 RoHS 规范，并可提供预涂热界面材料。

IGBT7 的 62 mm 模块

62 mm IGBT7 模块是高可靠性和高性能功率模块解决方案的最佳选择。该中功率模块系列采用了最先进的 TRENCHSTOP™ IGBT7 芯片技术。它采用 800 A 半桥配置，在封装系列中具有最高的电气性能和领先的功率循环能力。62 毫米模块的坚固机械性能得益于坚固的镀镍铜底板和螺钉主端子。主端子位于外壳中间，由于直流链路连接电感较低，因此非常适合并联和三电平配置。

所有模块均可使用我们预涂的热界面材料。

TRENCHSTOP™ IGBT7
有关配备 IGBT7 的 62 毫米模块特点的更多信息

采用 IGBT7 的 62 mm 模块具有重要的关键特性，例如更高的模块性能和额定电流。可选配预涂热界面材料 (TIM)，以降低热阻、延长系统使用寿命并简化安装。UL/CSA 认证（UL 1557 E83336）、高达 150°C 的工作温度、175°C 的过载以及符合 RoHS 规范的材料使这些 62 mm 模块成为专家的首选。

带 CoolSiC™ MOSFET 的 62 mm 模块

CoolSiC™ MOSFET 降低了系统复杂性，从而降低了中高功率系统的系统成本和尺寸。得益于碳化硅出色的材料特性，过去在低电压（<600 V）环境下才可能实现的解决方案，如今在更高电压环境下也同样可行。卓越的沟槽技术与厚栅极氧化物相结合，可提供最高的可靠性。此外，CoolSiC™ 体二极管具有长期稳定性，不会漂移。

CoolSiC™ 沟槽 MOSFET 作为工业基准技术，在硅 IGBT 技术达到极限的大批量应用领域打开并扩大了 62 mm 电源模块市场。

采用 CoolSiC™ MOSFET 的 62 毫米模块具有重要的关键特性，例如，它们是高速开关模块，具有极低的损耗和对称的模块设计，使上下开关具有相同的开关行为；标准、成熟的制造技术；由于开关损耗极低，因此冷却工作量极小；磁性元件少，开关频率高；占地面积和体积更小；通过模块概念降低了系统成本；可在 62 毫米的大批量生产线上生产。

关于 CoolSiC™

34 毫米和 62 毫米模块产品组合

62 mm 电源模块具有广泛的产品范围；客户可以选择不同的电压等级、额定功率以及不同的 IGBT 芯片技术。1200 V 62 mm 产品组合的最新成员是集成了 RDS(on) 额定值为 2、3 和 6 mΩ 的 CoolSiC™ MOSFET。庞大的 34 和 62 毫米产品组合为用户提供了高度的灵活性和可靠性，使设计人员受益匪浅。此外，该产品组合还支持为各种应用高效实现现代变频器概念。

为了加快开发周期，英飞凌提供了评估板，帮助进行首次模块测量。我们最新的驱动芯片被用于串行使用。评估板用户指南中提供了原理图、布局和部件清单。

34 毫米和 62 毫米模块的主要特性

34 毫米和 62 毫米模块具有重要的关键特性，例如，适用于变频控制逆变器驱动的优秀解决方案、UL/CSA 认证（UL 1557 E83336）、最高 150 °C 的工作温度、优化的开关特性、软性和更低的开关损耗。所有具有大电流功能的现有封装均符合 RoHS 规范，并可提供预涂热界面材料。

IGBT7 的 62 mm 模块

62 mm IGBT7 模块是高可靠性和高性能功率模块解决方案的最佳选择。该中功率模块系列采用了最先进的 TRENCHSTOP™ IGBT7 芯片技术。它采用 800 A 半桥配置，在封装系列中具有最高的电气性能和领先的功率循环能力。62 毫米模块的坚固机械性能得益于坚固的镀镍铜底板和螺钉主端子。主端子位于外壳中间，由于直流链路连接电感较低，因此非常适合并联和三电平配置。

所有模块均可使用我们预涂的热界面材料。

TRENCHSTOP™ IGBT7

有关配备 IGBT7 的 62 毫米模块特点的更多信息

采用 IGBT7 的 62 mm 模块具有重要的关键特性，例如更高的模块性能和额定电流。可选配预涂热界面材料 (TIM)，以降低热阻、延长系统使用寿命并简化安装。UL/CSA 认证（UL 1557 E83336）、高达 150°C 的工作温度、175°C 的过载以及符合 RoHS 规范的材料使这些 62 mm 模块成为专家的首选。

带 CoolSiC™ MOSFET 的 62 mm 模块

CoolSiC™ MOSFET 降低了系统复杂性，从而降低了中高功率系统的系统成本和尺寸。得益于碳化硅出色的材料特性，过去在低电压（<600 V）环境下才可能实现的解决方案，如今在更高电压环境下也同样可行。卓越的沟槽技术与厚栅极氧化物相结合，可提供最高的可靠性。此外，CoolSiC™ 体二极管具有长期稳定性，不会漂移。

CoolSiC™ 沟槽 MOSFET 作为工业基准技术，在硅 IGBT 技术达到极限的大批量应用领域打开并扩大了 62 mm 电源模块市场。

采用 CoolSiC™ MOSFET 的 62 毫米模块具有重要的关键特性，例如，它们是高速开关模块，具有极低的损耗和对称的模块设计，使上下开关具有相同的开关行为；标准、成熟的制造技术；由于开关损耗极低，因此冷却工作量极小；磁性元件少，开关频率高；占地面积和体积更小；通过模块概念降低了系统成本；可在 62 毫米的大批量生产线上生产。

关于 CoolSiC™

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