750 V碳化硅MOSFET

750V CoolSiC™ MOSFET，车规级和工业级，导通电阻覆盖 7 mΩ - 140 mΩ

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概述

英飞凌的 CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 650 V 分立器件具有出色的寄生导通鲁棒性和成熟的栅极氧化层技术，使其在图腾柱 PFC、维也纳整流器和 ANPC 等硬开关拓扑中表现出色。G2 系列产品输出电容 (Coss) 的大幅降低使其能够在软开关拓扑中以更高的开关频率运行，例如环形变频器、CLLC、DAB 和 LLC。它专为在可靠性、功率密度和效率方面有苛刻要求的应用而量身定制，例如板载充电器、DC-DC 变换器、DC-AC变换器以及人工智能服务器、太阳能逆变器和电动汽车充电。其中 Q-DPAK 能够利用 SiC 固有的快速开关速度，同时保证约 20 W 的功率耗散能力。

关键特性

  • 直插与表贴（SMD）封装
  • 集成开尔文源极结构
  • 车规级器件通过远超 AEC Q101 标准的认证；工业级器件通过 JEDEC 认证
  • 产品系列规格细分丰富，导通电阻 RDS(on) 覆盖 8 mΩ - 140 mΩ，并提供多种封装可选

产品

关于

750 V 碳化硅 MOSFET 的优势

  • 高度坚固的 750 V 技术，100% 经过雪崩测试
  • 一流的 R DS(on) x Q fr
  • 出色的 R DS(on) x Q oss和 R DS(on ) x Q G
  • 低 C rss /C iss和高 V GS(th)的独特组合
  • 英飞凌专有芯片贴装技术
  • 驱动器源引脚可用
有关分立外壳 CoolSiC MOSFET 的更多信息

Q-DPAK 顶部冷却封装

顶部散热（TSC）器件是焊接在印刷电路板（PCB）上的表面安装功率器件。半导体芯片产生的热量通过封装顶部的散热板排出。
TSC 功率模块是一种提高热性能和电气性能的解决方案。这些封装还有助于提高功率密度并减少制造工作量。

750 V 碳化硅 MOSFET 的优势

  • 高度坚固的 750 V 技术，100% 经过雪崩测试
  • 一流的 R DS(on) x Q fr
  • 出色的 R DS(on) x Q oss和 R DS(on ) x Q G
  • 低 C rss /C iss和高 V GS(th)的独特组合
  • 英飞凌专有芯片贴装技术
  • 驱动器源引脚可用
有关分立外壳 CoolSiC MOSFET 的更多信息

Q-DPAK 顶部冷却封装

顶部散热（TSC）器件是焊接在印刷电路板（PCB）上的表面安装功率器件。半导体芯片产生的热量通过封装顶部的散热板排出。
TSC 功率模块是一种提高热性能和电气性能的解决方案。这些封装还有助于提高功率密度并减少制造工作量。

文档

设计资源

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