针状沟槽电池技术

针状沟槽单元：英飞凌创新方法将功率 MOSFET 设计提升到一个新的水平

为了使功率 MOSFET 发展达到新的水平，需要新的 MOSFET 器件在所有品质因数方面提供改进。针状沟槽单元与平面和分裂栅极沟槽 MOSFET等先前的设计相比具有明显的优势。

基于革命性新单元设计的优势，结合先进制造技术的优势，新型 MOSFET 技术系列具有以下优势：

这些特性使这些器件成为高开关频率应用的理想选择，支持更高效率的趋势，同时实现更高功率密度和成本效益的设计。

图 1 常用的条纹布局（左）与新的网格状布局方法（右）的比较。[顶视图]

目前最先进的 MOSFET 技术采用位于栅极电极下方并与栅极电极隔开的深沟槽作为绝缘场板，该深沟槽与源极电位电连接。一种新颖的电池结构已被开发出来，首次实现了真正的三维电荷补偿。

为了优化传导效率，布局已改为网格状结构，有效增加了电流传导的硅面积，同时降低了整体导通电阻。此外，还采用了先进的金属栅极系统来降低内部栅极电阻，确保整个芯片的一致性并有助于实现一致的性能。

场板电极与顶部源极金属的直接连接确保了快速均匀的开启和关闭转换，最大限度地减少了开关损耗和不必要的动态开启的风险。这种独特的配置提供了增强的控制和可靠性。

立即探索 MOSFET 技术的未来，并探索其在各种应用中提高效率和可靠性的潜力。