OptiMOS™ 四相功率模块，280 A，10x9x5 mm 封装

降低生成式人工智能数据中心的总体拥有成本

数据中心正在经历前所未有的增长，其主要驱动力是人工智能（AI）投资的增加。目前，数据中心的能耗占全球能耗的 2% 以上。在人工智能的推动下，数据中心的功率需求预计将在 2023 年至 2030 年间增长 165% 。要进一步提高计算性能，同时降低总体拥有成本（TCO），不断提高从电网到核心的功率转换效率和功率密度至关重要。

电源模块路线图
电源模块路线图
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生命周期评估 - 第二阶段解决方案

随着人工智能领域的功率需求持续攀升，对可持续、高能效解决方案的需求也同步增长。英飞凌致力于降低自身的环境影响，亦助力客户实现同等目标。

因此，我们进行了生命周期评估（LCA），比较人工智能服务器中两种不同的电压调节器解决方案对环境的影响：一种是背面安装的电压调节器模块（VRM），另一种是侧面安装在处理器旁边的分立解决方案。

这两种解决方案都为人工智能服务器的第二阶段供电，为处理器和图形处理器供电。我们对这些解决方案的整个生命周期进行了比较，从原材料和制造到运输、使用阶段和报废。

电源模块产品组合概览

OptiMOS™ TDM2454xx 四相功率模块 280 A，面向高性能 AI 数据中心。这些模块实现了真正的垂直供电（VPD），并提供业界最佳的 2.0A/mm2 功率密度。TDM2454xx 模块结合了英飞凌强大的OptiMOS™ 6 沟槽技术、具有增强的电气和热效率的芯片嵌入式封装以及新的电感器技术，通过薄型化设计，进而实现了真正的垂直供电。此外，TDM2454xx 的基底面有利于 VPD 系统，可实现模块平铺布局并改善电流传输效率。

主要特性：

  • 行业领先的功率密度：10x9x5 毫米，峰值 280 A
  • 业内首款集成嵌入式电容器的四相电源模块选件，采用 10x9x5mm 封装
  • >2.0 A/mm2 TDC（热管理）*
  • 首款为 VPD 优化的模块，其占地面积设计最适合模块平铺阵列
  • 自研磁性元件可在紧凑的占地面积内实现低剖面垂直输电

*冷板 温度 80°C 及以下

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这是第二代 DC-DC 电源模块： OptiMOS™ TDM2354xD 和 TDM2354xT 双相电源模块 160 A，专为垂直供电（VPD）而设计，具有高电流密度、基准电气效率和散热效率。

主要特性：

  • 行业领先的功率密度：8x8x4 毫米，非TLVR 选件峰值为 160A
  • 业内首款双相 TLVR 电源模块选件，采用 8x8x5mm 封装，峰值能力达 160A
  • >1.5 A/mm2 TDC（热管理）*
  • 与上一代产品相比，英飞凌芯片嵌入式封装将结对板热阻抗降幅超 3 倍
  • 自研磁性元件可在紧凑的占地面积内实现低剖面垂直供电

*冷板温度 80°C 及以下

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这是第一代 DC-DC 功率模块： OptiMOS™ TDM22545D 和 TDM22544D 双相功率模块 140 A。它们将两个智能功率级、两个功率电感器和去耦电容器封装在一起，在小型封装内实现了两路独立的同步降压转换器功能。

主要特性：

  • 行业领先的功率密度：10x9x5 毫米和 10x9x8 毫米，峰值为 140 A
  • 高功率密度解决方案（>1A/mm2）
  • 结构更简单，适合大批量生产
  • 改进散热管理，提高系统效率
  • 改善信号完整性

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OptiMOS™ TDM2454xx 四相功率模块 280 A，面向高性能 AI 数据中心。这些模块实现了真正的垂直供电（VPD），并提供业界最佳的 2.0A/mm2 功率密度。TDM2454xx 模块结合了英飞凌强大的OptiMOS™ 6 沟槽技术、具有增强的电气和热效率的芯片嵌入式封装以及新的电感器技术，通过薄型化设计，进而实现了真正的垂直供电。此外，TDM2454xx 的基底面有利于 VPD 系统，可实现模块平铺布局并改善电流传输效率。

主要特性：

  • 行业领先的功率密度：10x9x5 毫米，峰值 280 A
  • 业内首款集成嵌入式电容器的四相电源模块选件，采用 10x9x5mm 封装
  • >2.0 A/mm2 TDC（热管理）*
  • 首款为 VPD 优化的模块，其占地面积设计最适合模块平铺阵列
  • 自研磁性元件可在紧凑的占地面积内实现低剖面垂直输电

*冷板 温度 80°C 及以下

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这是第二代 DC-DC 电源模块： OptiMOS™ TDM2354xD 和 TDM2354xT 双相电源模块 160 A，专为垂直供电（VPD）而设计，具有高电流密度、基准电气效率和散热效率。

主要特性：

  • 行业领先的功率密度：8x8x4 毫米，非TLVR 选件峰值为 160A
  • 业内首款双相 TLVR 电源模块选件，采用 8x8x5mm 封装，峰值能力达 160A
  • >1.5 A/mm2 TDC（热管理）*
  • 与上一代产品相比，英飞凌芯片嵌入式封装将结对板热阻抗降幅超 3 倍
  • 自研磁性元件可在紧凑的占地面积内实现低剖面垂直供电

*冷板温度 80°C 及以下

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这是第一代 DC-DC 功率模块： OptiMOS™ TDM22545D 和 TDM22544D 双相功率模块 140 A。它们将两个智能功率级、两个功率电感器和去耦电容器封装在一起，在小型封装内实现了两路独立的同步降压转换器功能。

主要特性：

  • 行业领先的功率密度：10x9x5 毫米和 10x9x8 毫米，峰值为 140 A
  • 高功率密度解决方案（>1A/mm2）
  • 结构更简单，适合大批量生产
  • 改进散热管理，提高系统效率
  • 改善信号完整性

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