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概述

与目前领先的解决方案相比，650 V TRENCHSTOP™ 5 F5 单管IGBT 系列的开关损耗显著降低，是 IGBT 和 MOSFET 之间的桥梁。目标拓扑结构包括升压、PFC(交流-直流)和高压直流-直流拓扑结构

主要特性
  • 低开关损耗
  • 650V击穿电压
  • Vf 的温度稳定性
  • 低COES/EOSS
应用
功率转换
不间断电源 (UPS)

产品

关于

关于TRENCHSTOP™ 5 F5

与 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 系列相比，650 V TRENCHSTOP™ 5 F5 系列针对小电感设计，与 SiC 二极管相结合可将效率提高 1%。F5 系列产品的设计要求更高，但回报也更高。

主要特性

该产品系列具有许多特殊功能，包括 650 V 击穿电压，与英飞凌同类最佳的 HighSpeed 3 系列相比，Qg 系数降低了 2.5 倍，开关损耗降低了 2 倍，VCE(sat) 降低了 200 mV。此外，这些产品采用英飞凌的快速硅二极管技术共同封装，具有低 COES/EOSS、温和的正温度系数 VCE(sat)，以及 Vf 温度稳定性。

主要优势

TRENCHSTOP™ 5 F5 产品的优势在于一流的效率，可降低结温和外壳温度，从而提高器件可靠性；总线电压可提高 50 V，而不会影响可靠性；设计出色，功率密度更高。

关于TRENCHSTOP™ 5 F5

与 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 系列相比，650 V TRENCHSTOP™ 5 F5 系列针对小电感设计，与 SiC 二极管相结合可将效率提高 1%。F5 系列产品的设计要求更高，但回报也更高。

主要特性

该产品系列具有许多特殊功能，包括 650 V 击穿电压，与英飞凌同类最佳的 HighSpeed 3 系列相比，Qg 系数降低了 2.5 倍，开关损耗降低了 2 倍，VCE(sat) 降低了 200 mV。此外，这些产品采用英飞凌的快速硅二极管技术共同封装，具有低 COES/EOSS、温和的正温度系数 VCE(sat)，以及 Vf 温度稳定性。

主要优势

TRENCHSTOP™ 5 F5 产品的优势在于一流的效率，可降低结温和外壳温度，从而提高器件可靠性；总线电压可提高 50 V，而不会影响可靠性；设计出色，功率密度更高。

文档

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