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EVAL-1ED3491MX12M

1ED3491Mx12M 评估板 - 2300 V、9 A、单通道灵活隔离栅极驱动器，具有有源米勒钳位、可调 DESAT 和软关断功能
应用笔记
每件.
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EVAL-1ED3491MX12M
EVAL-1ED3491MX12M
每件.
应用笔记

商品详情

  • 主板类型
    Evaluation Board
  • 产品名称
    EVAL-1ED3491MX12M
  • 供电电压 范围
    15 V 至 16 V
  • 供电电压
    15.5 V
  • 子应用程序
    Server, Telecommunication
  • 拓扑结构
    Half Bridge
  • 目标应用程序
    Power Supplies, Commercial Air Conditioning, Solar Energy Systems, Induction Heating, Industrial Drives, EV Charger
  • 系列
    CoolSiC™ MOSFET, Gate Driver
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入类型
    DC
推荐的
OPN
EVAL1ED3491MX12MTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EVAL-1ED3491MX12M 采用半桥配置，使用两个栅极驱动器 IC（1ED3491MU12M）来驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。它适用于双脉冲测试，具有灵活的开关类型，推荐用于 TRENCHSTOP ™ IGBT IKW40N120H3 或 CoolSiC ™ MOSFET IMW120R030M1H。该板包括用于初级侧和次级侧的电源，并提供用于多功能控制的低压电源接口。

特性

  • 两个次级侧均采用电气隔离电源
  • 电阻器功能标记
  • 灵活的单通道栅极驱动器
  • ±9 A 典型值吸收和源峰值输出
  • 绝对最大值 40 V。输出电压
  • 独立的源输出和吸输出
  • 有源米勒钳位
  • 精确的 VCEsat DESAT
  • IGBT 软关断
  • 参数调整。带有分机电阻：
  • 可调节 DESAT 滤波时间
  • 可调节软关断电流水平

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