EVAL-2ED2106
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EVAL-2ED2106

2ED2106S06F 评估板，650 V，0.7 A 高侧和低侧响应驱动器，带集成自举差分
User manual

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EVAL-2ED2106
EVAL-2ED2106
User manual
  • 主板类型
    Evaluation Board
  • 产品名称
    EVAL-2ED2106
  • 拓扑结构
    Half Bridge
  • 描述
    Evaluation Board including driver IC 2ED2106S06F and two MOSFETs, IPD60R360P7, in half bridge configuration. This board is designed to test basic functionalities and highlight features of the Infineon silicon-on-insulator (SOI) gate driver
  • 目标应用程序
    Switched mode power supplies (SMPS), Home Appliances, Motor Control & Drives
  • 系列
    EiceDRIVER™ Gate Driver, CoolMOS™ MOSFET
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入类型
    DC
推荐的
OPN
EVAL2ED2106TOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 N/A
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EVAL-2ED2106配备电感驱动器IC、2ED2106S06F和两个MOSFET、IPD60R360P7，采用半桥配置。该板用于测试英飞凌绝缘体上硅片(SOI)电感驱动器的基本功能和突出特性。用户可以测试PWM输入输出性能，检查传播延迟、电流能力和高开关频率性能。该板可用于进行双脉冲测试。

特性

  • 工作电压高达 + 650 V
  • 采用英飞凌 SOI 技术
  • 100 V 的负电压与瞬态抗扰度
  • 集成低阻值自举故障
  • 专为自举操作而设计
  • 最大电源电压为 25 V
  • 欠压锁定（UVLO）
  • 200 ns传播延迟
  • VS 引脚上的逻辑操作电压高达 –11 V

产品优势

  • 降低 BOM 成本并节省空间
  • 听力损失降低 50%
  • 出色的强化性和抗噪性

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