REF-SIC-D2PAK-BP
不建议用于新设计
符合RoHS标准

REF-SIC-D2PAK-BP

1200 V CoolSiC ™ MOSFET（TO263-7 封装）参考板
User manual

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REF-SIC-D2PAK-BP
REF-SIC-D2PAK-BP
User manual
  • 主板类型
    Reference Board
  • 产品名称
    REF-SIC-D2PAK-BP
  • 拓扑结构
    Half Bridge
  • 目标应用程序
    GPD, Industrial Drives, Motor Control & Drives
  • 系列
    CoolSiC™ MOSFET
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入类型
    DC
OPN
REFSICD2PAKBPTOBO1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 1ED Compact 1EDI20H12AH 是 CoolSiC ™ MOSFET 1200 V 评估平台的组件，可实现 VCC2 为 +15 V 且 GND2 为负极的双极供电。该平台展示了TO263-7pin封装的碳化硅CoolSiC ™ MOSFET的驱动选项，分为一个主板和两个SMD驱动卡。主板 EVAL_PS_SIC_DP_MAIN 设计最大电压为 800 V，最大脉冲电流为 130 A。

特性

  • 1200 V CoolSiC ™ MOSFET
  • 采用双极电源的驱动器
  • 无芯隔离式栅极驱动器
  • 负关断栅极电压
  • 利用 IMS
  • 所有组件 SMD

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