现货，推荐
符合RoHS标准

VD_1000W_GAN_PSFB_XDP

参考设计板 - 1000 W、400 V 相移全桥电流倍增器，配备 XDP ™数字电源控制器和 CoolGaN ™ HEMT
应用笔记

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

VD_1000W_GAN_PSFB_XDP
VD_1000W_GAN_PSFB_XDP
应用笔记

商品详情

  • Pout
    1024 W
  • 主板类型
    Virtual Design
  • 产品名称
    VD_1000W_GAN_PSFB_XDP
  • 供电电压
    360 V to 400 V
  • 尺寸
    132mm× 55mm× 34mm
  • 拓扑结构
    Isolated, Full Bridge, Phase Shift Full Bridge, Single Phase
  • 目标应用程序
    Power Supplies, Telecom
  • 系列
    Gate Driver, Digital power controller, OptiMOS™ 5
  • 认证标准
    Standard
  • 输入类型
    DC
  • 输出电压
    12 V to 12 V
  • 输出电流
    0 A to 84 A
  • 频率
    350 kHz to 350 kHz
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
VD_1000W_GaN_PSFB_XDP 是采用 XDPP1100-Q040 XDP ™数字电源控制器的隔离式 400V 至 12V 相移全桥参考设计，带电流倍增器。它提供高达 95.36% 的效率、快速瞬态性能，并集成 PMBus 和 I2C 通信。REF_XDP_1000W_GAN_PSFB 配备IGT60R070D1高压晶体管场效应晶体管(FET)，可实现350 kHz的高开关频率运行。

特性

  • 快速在-40 °C 至 125 °C 的整个温度范围内，电压精度高达 ±0.5 %
  • 基于 32 位 ARM ® Cortex ™ -M0 的完全数字控制
  • 采用英飞凌专利的瞬态响应控制，实现良好的前馈和负载调节
  • 通过 PMBus 和 GUI支持进行系统配置、监控和控制
  • 温度补偿

产品优势

  • 预编程控制，每周产品上市时间
  • 采用GaN半导体开关，功率密度高达110W/in3
  • 精确的V/I/Temp遥测，配备先进的故障保护功能
  • 创新的系统控制，响应速度快
  • 通过PMBus调整，提供面向未来的最佳解决方案

应用

Bill of Material

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案