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英飞凌面向汽车应用的 Q-DPAK 封装顶部散热型 1200 V CoolSiC™ MOSFET 应用笔记(Application Note)

面向汽车应用的 Q-DPAK 封装顶部散热型 1200 V CoolSiC™ MOSFET 应用笔记,介绍了采用 Q-DPAK 封装的新一代 CoolSiC™ MOSFET,将 1200 V Gen1p SiC 技术性能融入表面贴装式顶部散热(TSC)高压封装以实现最佳系统性能和功率密度。

• 1.66 MB
• 25/11/2025