现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

1EDN8511B

坚固、低温、快速、单通道低压侧 4 A / 8 A 栅极驱动器 IC
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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1EDN8511B
1EDN8511B
每件.
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商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8 V
  • VBS UVLO (Off)
    7 V
  • Turn Off Propagation Delay
    19 ns
  • Turn On Propagation Delay
    19 ns
  • Voltage Class
    20 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    8 V to 20 V
  • Output Current (Sink)
    8 A
  • Output Current (Source)
    4 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    Low-side
  • Isolation Type
    Non-isolated
  • Budgetary Price €/1k
    0.23
受到推崇的
OPN
1EDN8511BXUSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT23-6
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT23-6
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
双通道 MOSFET EiceDRIVER™ 驱动器 IC，是控制 IC、大功率 MOSFET 和 GaN 开关器件之间的关键纽带。 MOSFET 驱动器 IC 可实现高系统级效率、出色的功率密度和一致的系统稳健性。1EDN 系列：快速、精确、强大且兼容高效 SMPS，具有 5 ns 短转换率和 ±5ns 传播延迟精度，可实现快速 MOSFET 和 GaN 开关独立的源极和吸收极输出简化了应用设计行业标准封装和引脚排列简化了系统设计升级

特性

  • -10V 控制和使能输入的稳健性在驱动脉冲变压器时提供了至关重要的安全裕度
  • 5A 反向输出电流的稳健性使得在驱动 TO-220 和 TO-247 封装的 MOSFET 时无需使用肖特基开关二极管
  • 得益于真正的轨到轨低阻抗输出级，驱动器 IC 温度极低
  • 4V 和 8V UVLO（欠压锁定）选项可在启动期间和异常条件下即时保护 MOSFET

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }