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1EDS5663H
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

1EDS5663H

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GaN EiceDRIVER ™栅极驱动器 IC 具有出色的稳健性和效率，非常适合驱动氮化镓 (GaN) HEMT
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封装
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1EDS5663H
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商品详情

  • VBS UVLO (On)
    5.8 V
  • VBS UVLO (Off)
    5.2 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.7 V
  • 关断传播延迟
    41 ns
  • 封装
    PG-DSO-16
  • 开通传播延迟
    37 ns
  • 拓扑结构
    High-side
  • 电压等级
    650 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 最低 输入Vcc
    3 V
  • 输出电流 (Sink)
    8 A
  • 输出电流 (Source)
    4 A
  • 通道
    1
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Reinforced

OPN
1EDS5663HXUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
ID
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
ID
晶圆产地
DE
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新型单通道电气隔离栅极驱动器 IC 组件 1EDS5663H 非常适合具有非隔离栅极（二极管输入特性）和低阈值电压的增强模式 (e-mode) 氮化镓 (GaN) HEMT，例如 CoolGaN ™ 。它们可以确保高压氮化镓的稳健并高效地开关运行，同时最大限度地减少研发工作、并缩短上市时间。
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