现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED21091S06F

650 V、0.7 A 半桥栅极驱动器，集成自举二极管和关断功能，采用 DSO-8 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

2ED21091S06F
2ED21091S06F
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • Turn Off Propagation Delay
    200 ns
  • Turn On Propagation Delay
    740 ns
  • Voltage Class
    650 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Sink)
    0.7 A
  • Output Current (Source)
    0.29 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    Half Bridge
  • Isolation Type
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
受到推崇的
OPN
2ED21091S06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
650 V 半桥高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，采用 DSO-8 封装，具有典型的 0.29 拉电流和 0.7 灌电流。基于英飞凌的 SOI 技术，具有出色的坚固性和对 VS 引脚上负瞬态电压的抗噪能力。器件中不存在寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

特性

  • 操作。电压（VS 节点）< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 自举操作的浮动通道
  • 两个通道均具有独立的 UVLO
  • DT/SD 输入可关闭两个通道
  • 内部 540 ns 死区时间
  • 740 / 200 ns 传播延迟
  • 最大电源电压 25 V
  • VS 引脚上的逻辑操作电压高达 -11 V
  • 负。输入电压容差为 –5 V
  • 适用于高侧开关

图表

Application_2ED21091S06F
Application_2ED21091S06F
Application_2ED21091S06F Application_2ED21091S06F Application_2ED21091S06F
Block_2ED21091S06F Block_2ED21091S06F Block_2ED21091S06F
×
modalImg

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }