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符合RoHS标准
无铅

2EDL8033G4B

120 V 启动 3 A 高侧和低侧结隔离栅极驱动器
数据手册
封装
每件.
有存货

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2EDL8033G4B
2EDL8033G4B
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    7.3 V
  • VBS UVLO (Off)
    6.7 V
  • Turn Off Propagation Delay
    33 ns
  • Turn On Propagation Delay
    33 ns
  • Voltage Class
    120 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    8 V to 17 V
  • Output Current (Source)
    3 A
  • Output Current (Sink)
    6 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side and low-side
  • Isolation Type
    Functional levelshift
受到推崇的
OPN
2EDL8033G4BXTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-VDSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VDSON-8
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
2EDL8033G4B 设计用于驱动半桥配置中的高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动自举电压高达 120V 的高端 MOSFET，并提供完整的 3A 电流能力。高端偏置电压是使用集成自举二极管的自举技术产生的。独立输入允许独立控制高端和低端域。

特性

  • 3 A 和 4 A 拉电流 / 6 A 灌电流输出能力
  • 120 V 绝对最大启动电压
  • 集成自举二极管
  • -10 V 至 20 V 输入引脚能力，可提高稳健性
  • -5 A 输出引脚反向电流能力
  • HS 上 -12 V 绝对最大负电压
  • 8 V 至 17 V 电源电压工作范围
  • 高端和低端驱动器均具有 UVLO
  • 快速传播延迟 (<35 ns)
  • 2 ns 典型延迟匹配
  • 采用 SON-8 (4x4) 封装。
  • 指定工作结温范围为 -40ºC 至 125ºC

产品优势

  • 具有 3 A 和 4 A 拉电流 / 6 A 灌电流输出能力，提供一流的驱动能力
  • 强大的拉电流/灌电流能力有助于实现更高的效率
  • 强大的 6 A 下拉电流，可避免感应开启
  • 紧密的传播延迟匹配可减少死区时间损失
  • 采用小型 4 x 4mm 无引线封装，具有行业标准引脚排列
  • 集成自举二极管可降低 BOM 成本并提高功率密度

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }