现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2EDL8123G

EiceDRIVER ™ - 双通道结隔离栅极驱动器 - 2EDL8123G
数据手册
封装

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2EDL8123G
2EDL8123G
数据手册

商品详情

  • VCC UVLO (On)
    7 V
  • 关断传播延迟
    45 ns
  • 开通传播延迟
    45 ns
  • 电压等级
    120 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    8 V to 20 V
  • 输出电流 (Source)
    3 A
  • 输出电流 (Sink)
    6 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
2EDL8123GXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VDSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VDSON-8
封装名 -
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 2EDL8123G 双通道结隔离栅极驱动器 IC 专为电信和数据通信 DC-DC 转换器等半桥应用中的中压功率 MOSFET 而设计。 建议使用业界领先的 3 A 版本来减少 MOSFET 开关损耗。2EDL8123G 具有真正的差分输入结构和内置直通保护，使其成为 DC-DC 砖式转换器中非对角驱动初级侧半桥级的完美选择。 EiceDRIVER ™ 2EDL8 系列的所有栅极驱动器 IC 均采用行业标准的无引线封装和引脚排列。它们均具有集成的 120 V 自举二极管以及 +/- 2 ns 的精确通道间传播延迟匹配。

特性

  • 无需外部自举二极管
  • 快速 MOSFET 开关
  • 强大的下拉电流降低了开关噪声导致的导通风险
  • 低死区时间损耗
  • 固有直通保护
  • -8 V/+15 V 共模抑制

产品优势

  • 高功率密度
  • 高效率
  • 高 MOSFET 可靠性
  • 高效率
  • 高 MOSFET 可靠性
  • 稳定运行

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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