2N6768
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2N6768

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2N6768
2N6768
  • 最高 ID (@100°C)
    9 A
  • 最高 ID (@25°C)
    14 A
  • QPL部件号
    2N6768
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    300 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    400 V
  • 封装
    TO-204AE
  • 极性
    N
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
2N6768 是一款采用 TO-204AE 封装的高可靠性、400V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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