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5962F1120101VXA

数据手册
封装

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5962F1120101VXA
5962F1120101VXA
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • Density
    72 MBit, 72 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    1.7 V to 1.9 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Pb
  • Interfaces
    Parallel
  • Data Width
    x 18
  • Architecture
    QDR-II+
  • On-Die Termination
    N
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Family
    QDR-II+
  • Organization (X x Y)
    4Mb x 18
  • Burst Length (Words)
    2
  • Qualification
    Military
  • Device weight
    6152.8 mg
  • Read Latency (Cycles)
    2
  • Bank Switching
    N
  • Frequency
    250 MHz
受到推崇的
OPN
5962F1120101VXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CGA-165
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CGA-165
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 72Mb 四倍数据速率 (QDR ® )-II+、CYRS154x 系列是采用英飞凌 RADSTOP ™技术设计的高性能同步流水线 SRAM。72Mb QDR ® -II+ 存储器提供 x18/x36 和双字/四字数据总线配置，可为高速缓存应用提供低延迟和随机存储器访问能力。 英飞凌的抗辐射存储器经过 QML-V 认证，满足极端环境下的可靠性和生命周期要求。我们的太空内存解决方案增强了系统的整体计算极限，同时提供了尺寸、重量和功耗 (SWaP) 优势和设计灵活性。英飞凌最先进的 RADSTOP ™技术通过专有设计和工艺强化技术实现了抗辐射。

特性

  • 72Mb 密度，4M x18 双字突发模式
  • 250MHz > 频率/36 Gbps 吞吐量
  • 两个独立的单向数据端口
  • 双倍数据速率 (DDR) 端口
  • 输出阻抗匹配输入
  • 存储器核心可消除多位错误
  • 1.5 V 至 1.8 V HSTL I/O 信号标准
  • 1.7 V 至 1.9 V 工作 VR
  • –55°C 至 +125°C 军用温度。级
  • 165陶瓷CGA (CCGA)
  • SWaP优化的CCGA封装
  • DLAM QML-V合格SMD 5962-11201

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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