现货，推荐

5962F1120102VXA

数据手册
封装

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5962F1120102VXA
5962F1120102VXA
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    QDR-II+
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Military
  • 设备重量
    6152.8 mg
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    250 MHz
推荐的
OPN
5962F1120102VXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CGA-165
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CGA-165
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 72Mb 四倍数据速率 ( QDR® )-II+、CYRS154x 系列是采用英飞凌RADSTOP™技术设计的高性能同步流水线 SRAM。 这款 72 Mb QDR®-II+ 存储器提供 x18/x36 位宽配置，以及双字 / 四字数据总线配置，并为高速缓存应用提供低延迟和随机存储器访问能力。

特性

  • 72 Mb 密度，4Mx18 四字突发模式
  • 250 MHz> 频率/ 36 Gbps 吞吐量
  • 两个独立的单向数据端口
  • 双倍数据速率 (DDR) 端口
  • 输出阻抗匹配 I/P
  • 存储核心位交错
  • 1.5 V 至 1.8 V HSTL I/O 信号标准
  • 1.7 V 至 1.9 V 工作电压范围
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 165-ball 陶瓷载体栅格阵列 (CCGA)

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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