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符合RoHS标准
无铅

5962F2122201PXE

英飞凌提供航天工业首款符合 DLAM QML-P 标准、设计抗辐射的四路 SPI (QSPI) NOR 闪存。

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5962F2122201PXE
5962F2122201PXE

商品详情

  • Density
    512 MBit
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    2.97 V to 3.63 V
  • Interfaces
    QSPI
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Family
    NOR
  • Organization (X x Y)
    x4
  • Qualification
    Military
  • Device weight
    890.24 mg
  • Frequency
    133 MHz
OPN
5962F2122201PXEXYSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 512 Mbit 抗辐射 NOR 闪存是英飞凌该系列中的首款产品,为卫星的空间 FPGA 引导代码和配置图像存储解决方案提供最高的性能、密度、辐射和单粒子效应 (SEE) 性能组合。

特性

  • 512Mb 密度,125MHz QSPI
  • 10 万次写入/无限次读取耐久性
  • 125ºC 时数据可保存 10 年
  • 1.8V / 3.3 VI/O 支持
  • 100 引脚 TQFP 封装
  • DLAM QML 合格 SMD 5962-21222
  • 辐射性能
  • TID > 300krad
  • SEU免疫
  • SEL > 80 LET MeV.cm2/mg [LET]
  • SEFI 4.75e-5 err/dev.day

产品优势

  • 卓越的辐射性能
  • 512Mbit 密度,133MHz QSPI 接口
  • TQFP 塑料封装选项
  • 重量更轻,SWaP-C 优势显著
  • DLAM QML-P 认证
  • 最高可靠性标准 (QML-P)

应用

文档

设计资源

开发者社区

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