不建议用于新设计
符合RoHS标准

AIKB15N65DH5

采用小型 SMD 封装的世界一流低成本电源，适用于快速开关应用
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIKB15N65DH5
AIKB15N65DH5
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商品详情

  • IC (@ 100°) max
    15 A
  • IC (@ 25°) max
    30 A
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • Co-pack diode technology
    RAPID1
  • Reflow Solderable
    Yes
  • Package
    D2PAK (TO-263-3)
  • Switching Frequency
    15-100 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • Launch year
    2020
  • Voltage Class max
    650 V
  • Type
    IGBT + Diode
OPN
AIKB15N65DH5ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 650V TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 技术采用 H5/F5 优化，优先考虑电动和混合动力汽车的能源效率。其 IGBT 技术具有卓越的效率，有助于增加电动汽车的行驶里程、缩小电池尺寸并降低混合动力汽车的燃料消耗。此外，其 SMD 外壳降低了 IGBT 解决方案成本并通过自动化增强了质量控制。

特性

  • TRENCHSTOP ™技术，低 VCEsat，优化为 H5 版本（高速版本），具有更软的开关行为，更易于设计
  • 650V 击穿电压，30A 标称电流
  • 与 RAPID-1 快速软反并联二极管同封装
  • 极快的开关速度（高达 150kHz）
  • 符合英飞凌质量标准的汽车级认证
  • 最高结温 175 °C
  • 最高效率
  • 极低的传导损耗
  • 极低的开关损耗
  • 极低的结温和外壳温度
  • SMD D2PAK 封装，可降低组装成本并提高功率密度
  • 极其坚固耐用

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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