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符合RoHS标准

AIKB20N60CT

数据手册
封装
每件.
有存货

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AIKB20N60CT
AIKB20N60CT
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Soft Switching)
    0.46 mJ
  • Eoff (Hard Switching)
    0.6 mJ
  • Eon
    0.31 mJ
  • IC (@ 100°) max
    20 A
  • IC (@ 25° ) max
    40 A
  • ICpuls max
    60 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    60 A
  • Irrm
    13.3 A
  • Ptot max
    156 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    310 nC
  • td(off)
    199 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    42 ns
  • tr
    14 ns
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • Co-pack diode technology
    EMCON3
  • Reflow Solderable
    Yes
  • Package
    D2PAK (TO-263-3)
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™
  • Launch year
    2017
  • Voltage Class max
    600 V
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Type
    IGBT + Diode
  • Budgetary Price €/1k
    1.6
受到推崇的
OPN
AIKB20N60CTATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌适用于 600V 汽车应用的分立式 IGBT TRENCHSTOP ™和 Fieldstop 技术具有非常紧密的参数分布、高坚固性、温度稳定的行为和非常高的开关速度。

特性

  • 极低 V CEsat1.5V（典型值）
  • 最大结温 175°C
  • 短路耐受时间 5µs
  • V Cesat 中的正温度系数
  • 低 EMI
  • 低栅极电荷
  • 软、快速恢复发射极 HE 二极管

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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