不建议用于新设计
符合RoHS标准

AIKB30N65DF5

采用小型 SMD 封装的世界一流低成本电源，适用于快速开关应用
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIKB30N65DF5
AIKB30N65DF5
每件.
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商品详情

  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • IC (@ 25°) max
    55 A
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    650 V
  • 共封装二极管技术
    RAPID1
  • 可回流焊接
    Yes
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    15-120 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • 推出年份
    2020
  • 电压等级 max
    650 V
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 类型
    IGBT + Diode
OPN
AIKB30N65DF5ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 650V TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 技术提高了电动和混合动力汽车的效率。其 IGBT 技术可最大限度地减少损耗，最大限度地提高车载充电器、PFC 和 DC/AC 等应用的效率。这将延长电动汽车的行驶里程或缩小电动汽车电池的尺寸，并降低混合动力汽车的燃料消耗。TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 提供了一种比 MOSFET 更经济的替代方案，而 D²PAK 等 SMD 外壳则降低了系统成本并增强了质量控制。

特性

  • 采用低 VCEsat 的 TRENCHSTOP ™技术
  • 650V 击穿电压，30A 标称电流
  • 配套包装：RAPID-1 快速软反二极管
  • 极快的开关速度（高达 150kHz）
  • 符合汽车标准
  • 最高结温 175 °C
  • 极低的开关损耗
  • 极低的结温和外壳温度
  • PWM 引擎支持数字调光 SMD
  • 极其坚固耐用

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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