AIKBE50N65RF5
现货，推荐
符合RoHS标准

AIKBE50N65RF5

D2PAK-7L 封装汽车级碳化硅 (SiC) 混合分立器件 650 V
数据手册
封装

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AIKBE50N65RF5
AIKBE50N65RF5
数据手册

商品详情

  • Eoff
    0.09 mJ
  • Eon
    0.12 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    65 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    96 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 IF
    57 A
  • 最高 IFpuls
    120 A
  • QGate
    108 nC
  • td(off)
    136 ns
  • td(on)
    16.8 ns
  • tf
    14 ns
  • tr
    7.6 ns
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    TO263-7
  • 开关频率 范围
    40 Hz 至 100 Hz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5
  • 推出年份
    2023
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
推荐的
OPN
AIKBE50N65RF5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌开发了 650V TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 快速开关 IGBT 和 CoolSiC ™肖特基二极管的混合体，以经济高效的方式提升快速开关汽车应用（如车载充电器、PFC、DC-DC）的性能。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • IC = 50 A
  • 一流效率
  • Trenchstop ™ 5 快速开关 IGBT
  • CoolSiC ™肖特基二极管 G5
  • 低栅极电荷 QG
  • 最高结温 Tvjmax = 175°C
  • 开尔文发射极连接

产品优势

  • 在各种环境条件下具有最高的可靠性
  • 提高系统效率
  • 硬开关拓扑具有最佳的性价比
  • 支持双向车载充电器设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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