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AIKW50N65DH5
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无铅

AIKW50N65DH5

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AIKW50N65DH5
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商品详情

  • Eoff (Soft Switching)
    0.16 mJ
  • Eoff (Hard Switching)
    0.24 mJ
  • Eon
    0.45 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    53.5 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 IF
    40 A
  • 最高 IFpuls
    150 A
  • Irrm
    16.7 A
  • 最高 Ptot
    270 W
  • QGate
    116 nC
  • Qrr
    570 nC
  • td(off)
    173 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    11 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.66 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.54 V
  • 共封装二极管技术
    RAPID1
  • 可回流焊接
    No
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    15-120 KHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • 推出年份
    2017
  • 最高 电压等级
    650 V
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 类型
    IGBT + Diode

OPN
AIKW50N65DH5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO-247-3
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO-247-3
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT，为硬开关应用提供无与伦比的效率。

特性

  • 650V 阻断电压
  • 最高结温 175°C
  • 极低的传导和开关损耗
  • 极低的结温和外壳温度
  • 高功率密度设计
  • VCEsat 中的正温度系数

产品优势

  • 阻断电压提高 50V
  • 效率最高
  • 器件可靠性高
  • 低温可减少冷却工作量
  • 系统成本更低
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