现货，推荐
符合RoHS标准

AIKYX160N75CP2

750 V、160 A EDT2 IGBT，带反并联二极管，采用可回流焊接的 TO247PLUS 4 针封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIKYX160N75CP2
AIKYX160N75CP2
每件.
数据手册

商品详情

  • Eon
    5.5 mJ
  • IC (@ 25°) max
    200 A
  • IC (@ 100°) max
    160 A
  • ICpuls max
    480 A
  • IF max
    160 A
  • IFpuls max
    480 A
  • Irrm
    68.7 A
  • Ptot max
    750 W
  • QGate
    975 nC
  • Qrr
    5.5 nC
  • td(off)
    234 ns
  • td(on)
    64 ns
  • tf
    57 ns
  • tr
    35 ns
  • VCE(sat)
    1.37 V
  • VCE max
    750 V
  • VF
    1.8 V
  • Co-pack diode technology
    EMCON3
  • Reflow Solderable
    Yes
  • Package
    TO-247PLUS-4
  • Switching Frequency
    7kHz - 15kHz
  • Technology
    EDT2
  • Launch year
    2024
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Type
    IGBT + Diode
受到推崇的
OPN
AIKYX160N75CP2ALSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 4 引脚 TO247PLUS 封装并采用 750V EDT2 技术的 AIKYX160N75CP2 分立 IGBT 非常适合汽车应用。与 3 针设备相比，它支持高达 470V 的电池电压、安全快速切换以及减少 30% 的开启能量损失。其合格的可回流焊接封装可实现创新的组装解决方案，使热导率提高 40%，并在系统级实现最高功率输出。

特性

  • 一流的 750 V TO247PLUS
  • 适用于 470 V VDC 系统
  • VCEsat 非常低
  • 短路耐受时间 tsc = 3 µs
  • 260°C 回流焊设备合格
  • 自限制短路电流
  • 非常紧密的参数分布
  • 低栅极电荷 QG
  • 宽 2 毫米电源引脚
  • 电阻焊接引脚
  • 爬电距离高
  • 产品验证符合 AEC-Q101

产品优势

  • 基准质量和切换行为
  • 非常适合汽车需求
  • 出色的并行操作
  • 高可靠性和使用寿命
  • 低开关损耗和冷却工作量
  • 不同功率等级 - 相同封装
  • 功率可扩展性和成本优化
  • 通过回流焊接实现高功率输出
  • 系统级每安培成本低
  • 低 EMI 特征
  • 简单的栅极驱动设计
  • 开尔文发射极效率更高

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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