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现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMDQ75R050M2H

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CoolSiC™汽车 MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，50 mΩ
数据手册
封装
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AIMDQ75R050M2H
AIMDQ75R050M2H
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    36 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    50 mΩ
  • RthJC max
    1.01 K/W
  • VDS max
    750 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMDQ75R050M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC™汽车 MOSFET 750 V 第二代具有更好的开关性能、更低的损耗和增强的热管理。与第一代相比，开关速度提高了 25%，品质因数提高了 35%，它为汽车应用提供了更高效、更紧凑、更可靠的系统。

特性

  • 100% 雪崩测试
  • 同类最佳的 RDS(on)xQfr
  • 卓越的 RDS(on)xQoss& RDS(on)xQG
  • 独特的低 Crss/Ciss& 高 VGS(th)
  • 改进的 .XT 封装互连
  • 提供驱动源极管脚

产品优势

  • 增强的稳健性和可靠性
  • 硬开关效率更高
  • 更高的开关频率
  • 抗寄生导通的稳健性
  • 一流的散热性能
  • 降低开关损耗

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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