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符合RoHS标准
无铅

AIMZA75R060M2H

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CoolSiC™ Automotive MOSFET 750 V G2 in TO-247-4 package, 60 mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIMZA75R060M2H
AIMZA75R060M2H
每件.
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    28 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • 最高 VDS
    750 V
  • 封装
    PG-TO247-4
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMZA75R060M2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
Built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, the 750 V CoolSiC™ MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfill the ever‑growing system and market needs.

特性

  • 100% avalanche tested
  • Best‑in‑class RDS(on) x Qfr
  • Excellent RDS(on) x Qoss & RDS(on) x QG
  • Unique low Crss/Ciss & high VGS(th)
  • IFX proprietary die attach technology
  • Driver source pin available

产品优势

  • Enhanced robustness and reliability
  • Superior efficiency in hard switching
  • Higher switching frequency
  • Robustness against parasitic turn on
  • Best‑in‑class thermal dissipation
  • Reduced switching losses

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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