AIMZA75R140M1H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMZA75R140M1H

CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2，采用 TO-263-7 封装
数据手册
封装
评估板

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AIMZA75R140M1H
AIMZA75R140M1H
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    182 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    140 mΩ
  • 最高 VDS
    750 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMZA75R140M1HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ MOSFET 750 V G1 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且经济高效的系统设计，从而实现最高的效率和功率密度。

特性

  • 高度稳健的 750 V 技术
  • 一流的 RDS(on) x Qfr
  • 卓越的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
  • 低 Crss/Ciss 组合和高 VGSth
  • 100% 雪崩测试
  • 英飞凌芯片贴装技术

产品优势

  • 硬开关效率卓越
  • 支持更高的开关频率
  • 可靠性更高
  • 可承受超过 500 V 的总线电压
  • 抗寄生匝数效应
  • 单极驱动
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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