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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

AUIRF7736M2TR

停产
40 V、N 通道、最大 3 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET M4、Gen 10.7
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封装
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AUIRF7736M2TR
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商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Mexico
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    179 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • 最高 Ptot
    63 W
  • Qgd
    26 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    108 nC
  • QG (typ @10V)
    72 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3 mΩ
  • 最高 RthJA
    60 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    MG-WDSON-7
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 推出年份
    2016
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 目前计划的可用性至少到
    2026
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    1.42
OPN
AUIRF7736M2TR
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 先进的工艺技术
  • 针对汽车应用进行了优化
  • 体积小巧，外形低调
  • 高功率密度
  • 低寄生参数
  • 双面冷却
  • 工作温度 175°C
  • 重复雪崩能力
  • 无铅、无 RoHS 指令、无卤素
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

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