AUIRF7805Q

Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package
数据手册

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AUIRF7805Q
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    13 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    6.8 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    22 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V
  • 最高 VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 5.1
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • Advanced planar technology
  • Dynamic dV/dT rating
  • 175°C operating temperature
  • Fast switching
  • Fully Avalanche Rated
  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
  • Lead free, RoHS compliant
  • Automotive qualified

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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