AUIRFS4410Z

100V、N通道、最大9mΩ、汽车MOSFET、D2PAK、Gen 10.7
数据手册

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AUIRFS4410Z
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    97 A
  • Ptot max
    230 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V) max
    83 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    9 mΩ
  • RthJC max
    0.65 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th) min
    2 V
  • VGS(th) max
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK D2PAK
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 认证标准
    Automotive
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用先进的加工技术，实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计具有 175°C 的结工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值，为汽车应用和各种其他应用提供了卓越的效率和可靠性。

特性

  • 先进工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 175°C 工作温度
  • 快速开关
  • 允许高达 Tjmax 的重复雪崩
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车标准

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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