按需供应
符合RoHS标准

AUIRFS6535

300V、N沟道、最大185mΩ、汽车MOSFET、D2PAK、Gen 10.7
数据手册
封装

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AUIRFS6535
AUIRFS6535
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    19 A
  • Ptot max
    210 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @10V)
    38 nC
  • QG (typ @10V) max
    57 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    185 mΩ
  • RthJC max
    0.71 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    300 V
  • VGS(th) min
    3 V
  • VGS(th) max
    5 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK D2PAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    Gen 10.7
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Qualification
    Automotive
OPN
AUIRFS6535TRL
产品状态 on request
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 on request
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 工作温度 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩直至 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

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