AUIRFS6535
在产
符合RoHS标准

AUIRFS6535

300V、N沟道、最大185mΩ、汽车MOSFET、D2PAK、Gen 10.7
数据手册
封装

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AUIRFS6535
AUIRFS6535
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • 最高 Ptot
    210 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @10V)
    38 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    57 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    185 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.71 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    300 V
  • 最低 VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS(th)
    5 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK D2PAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 质量等级
    Automotive

推荐的
OPN
AUIRFS6535TRL
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 工作温度 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩直至 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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