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BCR119S
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无铅

BCR119S

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BCR119S
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商品详情

  • fT
    150 MHz
  • hFE 范围
    120 至 630
  • 最高 ICBO
    100 nA
  • 最高 Ptot
    250 mW
  • R1
    4.7 kΩ
  • 最高 VCBO
    50 V
  • 最高 VCE(sat)
    0.3 V
  • 最高 VCEO
    50 V
  • 最高 VEBO
    5 V
  • 最高 Vi (off)
    0.8 100µA / 5V
  • 最高 Vi (on)
    0.8 V
  • 最低 Vi (on)
    0.5 2mA / 0.3V
  • 安装
    SMT
  • 极性
    NPN (Dual)

OPN
BCR119SH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT363
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT363
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT
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NPN硅数字晶体管

特性

  • 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路
  • 内置电阻器 (R1=4.7 kΩ)
  • BCR119S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性
  • BCR119S：有关卷轴方向，请参见下面的封装信息
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装1)
  • 符合 AEC Q101 要求1) 1可根据特殊要求提供含铅封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区