BCR191W

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BCR191W
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商品详情

  • fT
    200 MHz
  • 最低 hFE
    50
  • 最高 ICBO
    100 nA
  • 最高 Ptot
    250 mW
  • R1 / R2
    1
  • R1
    22 kΩ
  • R2
    22 kΩ
  • 最高 VCBO
    50 V
  • 最高 VCE(sat)
    0.3 V
  • 最高 VCEO
    50 V
  • 最高 VEBO
    10 V
  • 最高 Vi (off)
    1.5 100µA / 5V
  • 最高 Vi (on)
    1.5 V
  • 最低 Vi (on)
    1 2mA / 0.3V
  • 安装
    SMT
  • 极性
    PNP (Single)
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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