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BFP760
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BFP760

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封装
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BFP760
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商品详情

  • Gmax
    28 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    70 mA
  • NFmin
    0.50 dB @900 MHz
  • OIP3
    27 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    14 dBm @900 MHz
  • 最高 VCEO
    4 V
  • 封装
    SOT343

OPN
BFP760H6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343-4-2
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343-4-2
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。

特性

  • 低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA
  • 高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
  • OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区