BGA10H1MN9
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BGA10H1MN9

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BGA10H1MN9
BGA10H1MN9
数据手册

商品详情

  • ICC
    6 mA
  • IIP3
    -6 dBm
  • IP1dB
    -19 dBm
  • NF
    0.8 dB
  • P-1dB
    -19 dBm
  • V 操作
    1.1 - 2.0 V
  • 增益
    19.7 dB
  • 尺寸
    1.1 x 1.1 mm²
  • 频率
    2300 - 2700 MHz
推荐的
OPN
BGA10H1MN9E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 N/A
封装尺寸 12000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 -
封装尺寸 12000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGA10H1MN9 专为 4G 和 5G 应用而设计，涵盖 2.3 至 2.7 GHz 之间的 3GPP 频段（例如B7 和 B41)。由于 LNA 前端的高增益和超低噪声系数性能，可以补偿损失并显著提高数据速率。MIPI接口提供对多种增益模式和偏置模式的全面控制，以增加整体系统动态范围。

特性

  • 频率范围：2.3 至 2.7 GHz
  • 功率增益：19.7 dB
  • 低噪声系数：0.8 dB
  • 低电流消耗：6.0 mA
  • 支持联发科、LSI 和 Qualcomm 平台的增益模式
  • MIPI RFFE 3.0
  • RF 输出内部匹配至 50 Ω
  • 支持 1.2 V 和 1.8 V VDD/VIO
  • 软件可编程 MIPI RFFE USID
  • 支持 4 个 USID
  • 小尺寸 1.1 mm x 1.1 mm
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }