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符合RoHS标准
无铅

BGA7H1BN6

数据手册
封装
每件.
有存货

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BGA7H1BN6
BGA7H1BN6
每件.
数据手册

商品详情

  • I
    4.3 mA
  • IIP3
    2 dBm
  • NF
    0.85 dB
  • P-1dB (in)
    -3 dBm
  • VCC operating
    1.5 V to 3.6 V
  • Gain
    12.3 dB
  • Frequency
    1805-2200 MHz
受到推崇的
OPN
BGA7H1BN6E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，其覆盖频率范围为 1805 MHz 至 2690 Mhz，工作电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式），可通过关闭 Vcc 来启用关闭状态

特性

  • 插入功率增益：12.3 dB
  • 低噪声系数：0.85 dB
  • 低电流消耗：4.3 mA
  • 旁路模式下的插入损耗：-3.1 dB
  • 工作频率：1805 - 2690 MHz
  • 双态控制：旁路模式和高增益模式
  • 电源电压：1.5 V 至 3.6 V
  • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
  • 超小型 TSNP-6-2 无铅封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
  • B7HF 硅锗技术
  • 射频输出内部匹配至 50 Ω
  • 仅需 1 个外部 SMD 元件
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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