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符合RoHS标准
无铅

BGA855N6

数据手册
封装

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BGA855N6
BGA855N6
数据手册

商品详情

  • ICC
    4.8 mA
  • IIP3
    1 dBm
  • NF
    0.6 dB
  • P-1dB (in)
    -11
  • VCC operating
    1.1 V to 3.3 V
  • Gain
    17.8 dB
  • Frequency
    1164-1300 MHz
受到推崇的
OPN
BGA855N6E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
TSNP-6-10
封装名 N/A
包装尺寸 12000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TSNP-6-10
封装名 -
包装尺寸 12000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGA855N6 旨在增强 L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其适用于非常高的精度。除了 GPS L5 和 L2 之外，GNSS LNA 还覆盖伽利略 E5a、E5b、E6、格洛纳斯 G3、G2 和北斗 B3 和 B2 频段，频率范围为 1164 MHz 至 1300 MHz。LNA 提供 17.8 dB 增益和 0.6 dB 噪声系数，电流消耗为 4.8mA。BGA855N6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.1 V 至 3.3 V。

特性

  • 用于 L2/L5 频率的 GPS LNA
  • 将 GPS 精度提高到厘米级（约 30 厘米）
  • 改进 GPS 的室内导航
  • 1.2V 支持
  • 专为高精度 GPS 设备设计

产品优势

  • 高精度导航，可实现约 30 厘米的精度。
  • 高线性度非常适合支持 5G NSA 的智能手机。
  • 宽带宽和适用于所有 GPS 系统的解决方案。
  • 向后与标准 GNSS LNA 兼容，节省设计成本。

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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