在产
符合RoHS标准
无铅

BSB104N08NP3 G

数据手册
封装

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BSB104N08NP3 G
BSB104N08NP3 G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    1600 pF
  • Coss
    430 pF
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • IDpuls max
    200 A
  • Ptot max
    42 W
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    10.4 mΩ
  • RthJA max
    45 K/W
  • RthJC max
    3 K/W
  • Rth
    3 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • Package
    DirectFET (M)
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Micro-stencil
    IRF66MP-25
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.4
受到推崇的
OPN
BSB104N08NP3GXUMA2 BSB104N08NP3GXUMA1 BSB104N08NP3GXUSA1
产品状态 active active discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-5
MG-WDSON-5
MG-WDSON-2
封装名 DirectFET (M) N/A DirectFET (M)
包装尺寸 4800 5000 5000
包装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 3 3 3
防潮包装 DRY DRY DRY
无铅 Yes Yes Yes
无卤素 Yes Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态
Active
英飞凌封装名称
MG-WDSON-5
封装名 DirectFET (M)
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态
Active
英飞凌封装名称
MG-WDSON-5
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-2
封装名 DirectFET (M)
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™是高效发电解决方案的市场领导者（例如太阳能微型逆变器）、电源（例如服务器和电信）和功耗（例如电动汽车

特性

  • 针对 DC-DC 转换器进行了优化
  • 出色的栅极电荷
  • 卓越的热阻
  • 双面冷却
  • 低寄生电感
  • 薄型 (<0.7mm)
  • N 沟道，正常电平
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅电镀；符合 RoHS 标准

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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