BSC010N04LST

BSC010N04LST

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 具有增强的温度额定值，可提高稳健性
数据手册

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BSC010N04LST
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    292 A
  • 最高 IDpuls
    1168 A
  • 最高 Ptot
    167 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    95 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.48 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.09

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用最新的技术，并在封装温度方面进行了改进。这种新的组合可实现更高的功率密度和更高的耐用性。 与额定值较低的器件相比，175°C TJ_MAX 功能要么在更高的工作结温下提供更多的功率，要么在相同的工作结温下提供更长的使用寿命。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 针对同步整流进行了优化
  • SuperSO8 增强了 175°C 耐温能力

产品优势

  • 更长的使用寿命
  • 最高的效率和功率密度
  • 最高的系统可靠性
  • 热稳定性

 

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区