现货，推荐
符合RoHS标准

BSC012N06NS

采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 175°C 功率 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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BSC012N06NS
BSC012N06NS
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    306 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    306 A
  • IDpuls max
    1224 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Fused leads
  • Battery voltage
    24-36 V
  • Budgetary Price €/1k
    1.21
受到推崇的
OPN
BSC012N06NSATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS ™ MOSFET 扩展了 OptiMOS ™ 3 和 5 产品组合，除了提高稳健性之外，还实现了更高的功率密度，满足了降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 (Qrr) 可显著降低电压过冲，从而提高系统可靠性，最大限度地减少对缓冲电路的需求，从而减少工程成本和工作量。

特性

  • 最低的 RDS(on) 可实现最高的功率密度和效率
  • 更高的额定工作温度（高达 175°C），从而提高可靠性
  • 低 RthJC 可实现出色的热性能
  • 更低的反向恢复电荷 (Qrr)

产品优势

  • 降低满载温度
  • 减少并联
  • 减少过冲
  • 提高系统功率密度
  • 减小尺寸
  • 降低系统成本
  • 减少工程成本和工作量

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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