BSC060P03NS3E G
现货，推荐
符合RoHS标准

BSC060P03NS3E G

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。
数据手册
封装

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BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3E G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    4530 pF
  • Coss
    2110 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    -100 A
  • 最高 IDpuls
    -200 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • QG (typ @10V)
    61 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6 mΩ
  • Rth
    1.5 K/W
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th)
    -2.5 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.35
推荐的
OPN
BSC060P03NS3EGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 正常、逻辑或超逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 无铅镀铅；符合 RoHS 标准
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区